一种氮化镓基发光二极管

摘要

本发明涉及一种氮化镓基发光二极管，包括：一具正、背两面的衬底；外延层，形成于所述衬底的正面上，自上而下依次包含P型层、发光区和N型层；电流扩展层，形成于所述P型层之上；P电极，形成所述电流扩展层之上；其特征在于：还包括第一反射层，位于所述电流扩展层与外延层之间，其呈带状分布在外延层的边缘区域；第二反射层，位于所述衬底的背面。本发明通过在LED外延层的表面边缘区域设置带状或环状的第一反射层，可以增强发光二极管的侧面取光的几率，即控制发光层发出的光线向上和侧面出射的比例，从而调整芯片的出光分布均匀性，改善散热不均匀现象。

主权项

一种氮化镓基发光二极管，包括：一具正、背两面的衬底；外延层，形成于所述衬底的正面上，自上而下依次包含P型层、发光区和N型层；电流扩展层，形成于所述P型层之上；P电极，形成所述电流扩展层之上；其特征在于：还包括第一反射层，位于所述电流扩展层与外延层之间，其呈带状分布在外延层的边缘区域；第二反射层，位于所述衬底的背面。