发明名称 一种MRI磁信号增强器件
摘要 本发明提供一种MRI磁信号增强器件,MRI磁信号增强器件设置在待测部位与MRI成像设备的磁信号接收线圈之间,MRI磁信号增强器件包括外壳以及设置在外壳内的至少一层负磁导率超材料,该负磁导率超材料为经过特殊设计的低频负磁导率超材料,当MRI磁信号增强器件中的负磁导率超材料在磁导率为负时,且谐振频率与MRI工作频率相同的情况下,负磁导率超材料与MRI设备的接收线圈产生响应,增强接收线圈的磁信号,进而增强MRI系统的成像质量,同时,MRI系统的成像质量增强,能够使MRI设备的接收线圈不必紧靠待测部位,增加MRI设备使用的舒适性。
申请公布号 CN102709705A 申请公布日期 2012.10.03
申请号 CN201210128222.2 申请日期 2012.04.27
申请人 深圳光启创新技术有限公司 发明人 刘若鹏;栾琳;郭洁;洪运南
分类号 H01Q15/00(2006.01)I;A61B5/055(2006.01)I 主分类号 H01Q15/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种MRI磁信号增强器件,其特征在于,所述MRI磁信号增强器件设置在待测部位与MRI成像设备的磁信号接收线圈之间,所述MRI磁信号增强器件包括外壳以及设置在外壳内的至少一层负磁导率超材料,所述负磁导率超材料包括基板及固定在基板上的人造微结构层,所述人造微结构层上周期性的阵列排布多个人造微结构,所述人造微结构由四个相同的人造微结构单元构成,所述任一人造微结构单元绕同一旋转轴旋转90°、180°、270°后分别与其它三个人造微结构单元重合,所述人造微结构单元由一根金属线通过多重绕线的方式形成多重嵌套的凹形开口谐振环。
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