用于少子寿命测量的硅片表面处理方法

摘要

本发明涉及一种用于少子寿命测量的硅片表面处理方法,包括以下步骤：1）粗抛：利用物理方法抛光原生硅片，去除硅片在切割过程中产生的损伤层；2）精抛：将粗抛后的硅片采用的抛光液进行精抛，抛光液为粒径尺寸0.4μm-1μm的金刚砂悬浮液，抛光后表面粗糙度Ra为：0.02μm-0.06μm，去除步骤1残留的微损伤层；3）清洗：将精抛后的硅片用去离子水清洗，去除残留的抛光液后烘干；4）漂洗；5）干燥；6）钝化。本发明的有益效果是：通过合理的物理方法，提高硅片抛光质量，并结合漂洗钝化工艺，使得测量结果更接近体于硅片的体寿命，提高了少子寿命的测试精度。

主权项

一种用于少子寿命测量的硅片表面处理方法,其特征是：包括以下步骤：1）粗抛：利用物理方法抛光原生硅片，去除硅片在切割过程中产生的损伤层；2）精抛：将粗抛后的硅片采用的抛光液进行精抛，抛光液为粒径尺寸0.4μm‑1μm的金刚砂悬浮液，抛光后表面粗糙度Ra为：0.02μm‑0.06μm，去除步骤1残留的微损伤层；3）清洗：将精抛后的硅片用去离子水清洗，去除残留的抛光液后烘干；4）漂洗；5）干燥；6）钝化。