| 发明名称 | 选择性发射极刻蚀工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种选择性发射极刻蚀工艺，具有如下步骤：a)硅片正面刻蚀：在具有掩膜图案的扩散后的硅片正面刻蚀出所需的方阻；b)去除正面掩膜；c)刻蚀硅片表面的PSG；d)硅片背面刻蚀。本发明的有益效果是：扩散后的硅片表面存在一层亲水的PSG层，原有的选择性发射极刻蚀工艺流程直接在具有亲水性的PSG层硅片表面进行背面刻蚀，硅片边缘会造成过刻。改善后的工艺流程中，去PSG层后的硅片整体呈疏水性，在进行背面刻蚀时，可有效改善边缘过刻的问题。同时，由于改善后的工艺首先对硅片进行正面刻蚀，保证了刻蚀方阻整体的均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN102709387A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201210141800.6 | 申请日期 | 2012.05.08 |
| 申请人 | 常州天合光能有限公司 | 发明人 | 丁晓春 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人 | 王凌霄 |
| 主权项 | 一种选择性发射极刻蚀工艺，其特征是：具有如下步骤：a)硅片正面刻蚀：在具有掩膜图案的扩散后的硅片正面刻蚀出所需的方阻；b)去除正面掩膜；c)刻蚀硅片表面的PSG；d)硅片背面刻蚀。 | ||
| 地址 | 213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 | ||