GaAs基超薄芯片的制作方法

摘要

本发明公开了GaAs基超薄芯片的制作方法，GaAs基超薄芯片包括基板和磊晶层，先对基板的下表面进行第一次蚀刻；在磊晶层蒸镀加工出正电极，对由磊晶层和正电极形成的上表面进行上蜡处理；然后对基板的下表面进行二次蚀刻，将基板减薄至100μm±20μm，对磊晶层和正电极形成的上表面下蜡清洗处理后，对基板的下表面蒸镀加工出负电极。此超薄芯片将不需要人为切破，从而避免在黃光微影工序中由于芯片过于翘曲，不能与机台贴合，影响芯片充分曝光，而被迫切一为四，同时避免了由于破片过多而造成的混料、破片、报废等异常，具有破片少，报废少，良率高，质量高的特点，达到了业內同类产品先进的水平，极大的降低了生产成本。

主权项

GaAs基超薄芯片的制作方法，GaAs基超薄芯片包括基板和磊晶层，所述基板的上表面磊晶有磊晶层，其特征在于：先对基板的下表面进行第一次蚀刻，将基板减薄至200μm±20μm；再在磊晶层蒸镀加工出正电极，对由磊晶层和正电极形成的上表面进行上蜡处理；然后对基板的下表面进行二次蚀刻，将基板减薄至100μm±20μm，对磊晶层和正电极形成的上表面下蜡清洗处理后，对基板的下表面蒸镀加工出负电极。