| 发明名称 | 一种提高发光二极管发光效率的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高发光二极管发光效率的结构，该二极管外延片结构从下向上的顺序依次为衬底、低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、N型层、电流扩展层、N型层、发光层MWQ、P型层、P型层、P型层。电流扩展层6采用超晶格结构组成，提高了发光效率和抗静电能力。本发明的优点在于：本发明所述的这种外延生长工艺的设计不仅使电流分布更加均匀，而且可以降低工作电压，提升ESD良率，改善漏电。 | ||
| 申请公布号 | CN102709424A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201210190079.X | 申请日期 | 2012.06.11 |
| 申请人 | 华灿光电股份有限公司 | 发明人 | 韩杰;魏世桢 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/14(2010.01)I |
| 代理机构 | 江西省专利事务所 36100 | 代理人 | 胡里程 |
| 主权项 | 一种提高发光二极管发光效率的结构，该二极管外延片结构从下向上的顺序依次为衬底（1）、低温缓冲层（2）、高温缓冲层（3）、N型层（4）、N型层（5）、电流扩展层 （6）、N型层（7）、发光层MQW （8）、P型层（9）、P型层（10）、 P型层（11）；其特征在于：电流扩展层（6）采用了超晶格结构组成， 并且N型层（7）的总厚度不超过50nm。 | ||
| 地址 | 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号 | ||