硅氧化膜的形成方法和等离子体氧化处理装置

摘要

一边通过排气装置（24）对处理容器（1）内进行减压排气，一边从气体供给装置（18）的非活性气体供给源（19a）和含臭氧气体供给源（19b），通过气体导入部（15）将非活性气体和相对于O2和O3的合计的体积、O3的体积比率为50%以上的含臭氧气体以规定的流量导入处理容器（1）内。将在微波产生装置（39）产生的规定频率例如2.45GHz的微波，从平面天线（31）经过透过板（28）放射到处理容器（1），对非活性气体和含臭氧气体进行等离子体化。通过该微波激励等离子体在晶片（W）表面形成硅氧化膜。在等离子体氧化处理期间，也可以从高频电源（44）向载置台（2）供给规定频率和功率的高频电力。

主权项

一种硅氧化膜的形成方法，其特征在于，包括：在等离子体处理装置的处理容器中，使包含相对于O2和O3的合计的体积、O3的体积比例为50%以上的含臭氧气体的处理气体的等离子体作用于露出在被处理体的表面的硅上，形成硅氧化膜的工序。