| 主权项 |
一种驱动非易失性逻辑电路的方法，其特征在于：具有以下工序(a)～(d)：准备所述非易失性逻辑电路的工序(a)，其中，所述非易失性逻辑电路具有控制电极、强介电体膜、半导体膜和电极组，所述控制电极、所述强介电体膜、所述半导体膜和所述电极组以此顺序层叠，电极组具有电源电极、输出电极、第1～第8输入电极和第1～第4逻辑设定电极，X方向、Y方向和Z方向，分别是所述强介电体膜的长度方向、与所述长度方向正交的方向和所述层叠方向，沿着X方向，第1～第8输入电极和第1～第4逻辑设定电极夹在所述电源电极与所述输出电极之间，沿着Y方向，配置所述第1～第4逻辑设定电极，沿着Y方向，配置所述第1～第4输入电极，沿着Y方向，配置所述第5～第8输入电极，沿着X方向，配置所述第1输入电极、所述第5输入电极和所述第1逻辑设定电极，沿着X方向，配置所述第2输入电极、所述第6输入电极和所述第2逻辑设定电极，沿着X方向，配置所述第3输入电极、所述第7输入电极和所述第3逻辑设定电极，沿着X方向，配置所述第4输入电极、所述第8输入电极和所述第4逻辑设定电极；将所述非易失性逻辑电路设定成从AND、OR、NAND、NOR或XOR中选择出的1个逻辑的工序(b)，其中，V1、VA、VB、VC和VD是分别施加到所述控制电极和所述第1～第4逻辑设定电极的电压，在设定AND的情况下，施加满足下面的不等式(I)的电压，V1＞VA、V1＜VB、V1＜VC和V1＜VD ……(I)在设定OR的情况下，施加满足下面的不等式(II)的电压，V1＞VA、V1＞VB、V1＞VC和V1＜VD ……(II)在设定NAND的情况下，施加满足下面的不等式(III)的电压，V1＜VA、V1＞VB、V1＞VC和V1＞VD ……(III)在设定NOR的情况下，施加满足下面的不等式(IV)的电压，V1＜VA、V1＜VB、V1＜VC和V1＞VD ……(IV)在设定XOR的情况下，施加满足下面的不等式(V)的电压，V1＜VA、V1＞VB、V1＞VC和V1＜VD ……(V)；将从第1～第4状态中选择出的1种状态写入到所述非易失性逻辑电路中的工序(c)，其中，Va～Vh是分别施加到所述第1～第8输入电极的电压，在写入所述第1状态的情况下，施加满足下面的不等式(VI)的电压V1、Va～Vh。V1＞Va、V1＞Vb、V1＜Vc、V1＜Vd、V1＞Ve、V1＜Vf、V1＞Vg和V1＜Vh ……(VI)在写入所述第2状态的情况下，施加满足下面的不等式(VII)的电压V1、Va～Vh。V1＜Va、V1＜Vb、V1＞Vc、V1＞Vd、V1＞Ve、V1＜Vf、V1＞Vg和V1＜Vh ……(VII)在写入所述第3状态的情况下，施加满足下面的不等式(VIII)的电压V1、Va～Vh。V1＞Va、V1＞Vb、V1＜Vc、V1＜Vd、V1＜Ve、V1＞Vf、V1＜Vg和V1＞Vh ……(VIII)在写入所述第4状态的情况下，施加满足下面的不等式(IX)的电压V1、Va～Vh。V1＜Va、V1＜Vb、V1＞Vc、V1＞Vd、V1＜Ve、V1＞Vf、V1＜Vg和V1＞Vh ……(IX)在所述工序(b)中当设定AND时，第1状态是低电阻状态，第2～第4状态是高电阻状态，在所述工序(b)中当设定OR时，第1～第3状态是低电阻状态， 第4状态是高电阻状态，在所述工序(b)中当设定NAND时，第2～第4状态是低电阻状态，第1状态是高电阻状态，在所述工序(b)中当设定NOR时，第4状态是低电阻状态，第1～第3状态是高电阻状态，在所述工序(b)中当设定XOR时，第2状态和第3状态是低电阻状态，第1状态和第4状态是高电阻状态；和测定通过在所述电源电极与所述输出电极之间施加电位差而产生的电流，基于所述电流决定写入到所述非易失性逻辑电路的状态是所述高电阻状态或所述低电阻状态的哪一种的工序(d)。 |
