| 发明名称 | 含有多晶硅有源层的薄膜晶体管、其制造方法及阵列基板 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种含有多晶硅有源层的薄膜晶体管、其制造方法及阵列基板，所述方法包括：在基板上沉积非晶硅层，并对非晶硅层进行构图，形成包括源区、漏区和沟道区的有源层；在沟道区上方形成栅绝缘层和栅电极；在形成了栅电极的基板上沉积诱导金属层；通过离子注入的方式在源区和漏区掺入杂质，离子注入时部分诱导金属被轰击进入源区和漏区；去除诱导金属层；对掺杂后的有源层进行热处理，以激活杂质，并使有源层在诱导金属的作用下发生金属诱导晶化和金属诱导横向晶化；形成源电极和漏电极。本发明能够减少多晶硅TFT的制备时间，降低多晶硅TFT的制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102709185A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201110209184.9 | 申请日期 | 2011.07.25 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 姜春生 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 黄灿;赵爱军 |
| 主权项 | 一种制造含有多晶硅有源层的薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括：在基板上沉积非晶硅层，并对非晶硅层进行构图，形成包括源区、漏区和沟道区的有源层；在沟道区上方形成栅绝缘层和栅电极；在形成了栅电极的基板上沉积诱导金属层；通过离子注入的方式在源区和漏区掺入杂质，离子注入时部分诱导金属被轰击进入源区和漏区；去除诱导金属层；对掺杂后的有源层进行热处理，以激活杂质，并使有源层在诱导金属的作用下发生金属诱导晶化和金属诱导横向晶化；形成源电极和漏电极。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||