用于半导体器件的使用大气压的材料原子层沉积的方法

摘要

本发明提供一种用于原子层沉积的方法。所述方法包括提供具有表面区域的衬底，并将所述衬底的所述表面区域暴露于大气压。该方法还至少将所述衬底保持在大约大气压下，并且利用原子层沉积形成上覆于所述表面区域的膜，同时所述衬底被保持在大约大气压下。优选地，所述膜以大于每分钟1纳米的速率生长。

主权项

一种用于原子层沉积的方法，该方法包括：将多个衬底放置在一盒子中；取出所述多个衬底中的一个；将所述一个衬底施加在移动构件上，该移动构件被耦合到多个气体分配构件，所述多个气体分配构件被编号为1到N，其中N为整数；以及通过移动构件移动所述衬底，以串行方式从第一气体分配构件到第N气体分配构件将所述衬底的表面暴露于所述多个气体分配构件中的一个或者多个，同时将衬底保持在大气压下；以及当所述表面在所述移动构件上移动并且面向所述多个气体分配构件中的一个或者多个时，形成上覆于所述表面的原子层膜，其中，所述移动构件是碳化硅涂层的碳材料。