| 发明名称 | 荧光体及其制备方法以及半导体发光装置和图像显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明披露包含光学活性元素M的β-sialon荧光体和β-sialon荧光体的制备方法，由空气渗透法测得，所述β-sialon荧光体的比表面积不大于0.8m2/g，所述方法包括对包括金属性化合物粉末的混合物进行烧结的烧结步骤，其中所述混合物包括(A)包含光学活性元素M的金属性化合物粉末，和(B)由特定包覆化合物包覆的金属性化合物粉末。可得到由于杂相得以抑制而获得高发光效率的具有高度晶体均一性的β-sialon荧光体。所述荧光体优选应用于半导体发光装置和图像显示装置。 | ||
| 申请公布号 | CN101182414B | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN200710186804.5 | 申请日期 | 2007.11.14 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 吉村健一 |
| 分类号 | C09K11/78(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;G02F1/133(2006.01)I | 主分类号 | C09K11/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈桉;封新琴 |
| 主权项 | 一种β‑sialon荧光体，所述荧光体包含Eu作为光学活性元素M，且所述荧光体的比表面积由空气渗透法测量为不大于0.8m2/g。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||