发明名称 通过考虑相邻存储器单元的所存储状态来读取非易失性存储器单元
摘要 存储于非易失性存储器单元的浮动栅极(或其它电荷存储元件)上的表观电荷的移位可能由于基于存储于邻近浮动栅极(或其它电荷存储元件)中的电荷的电场的耦合而发生。为了解决此耦合,对目标存储器单元的读取过程将向邻近存储器单元(或其它存储器单元)提供补偿以便减小所述邻近存储器单元对所述目标存储器单元造成的耦合效应。所施加的补偿是基于所述邻近存储器单元的条件。为了施加正确的补偿,所述读取过程将至少部分地将对所述邻近存储器单元的读取操作与对所述目标存储器单元的读取操作进行混合。
申请公布号 CN101627443B 申请公布日期 2012.10.03
申请号 CN200780050890.5 申请日期 2007.12.24
申请人 桑迪士克股份有限公司 发明人 尼玛·穆赫莱斯
分类号 G11C16/34(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I 主分类号 G11C16/34(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 刘国伟
主权项 一种用于从非易失性存储装置读取数据的方法,其包含:对目标非易失性存储元件执行一组读取操作作为用以读取存储于所述目标非易失性存储元件中的特定数据值的共同尝试的部分,所述组读取操作的至少一子组向相邻非易失性存储元件施加不同电压;对所述相邻非易失性存储元件执行一群组读取操作,将所述群组读取操作至少部分地在时间上与所述组读取操作进行混合;基于所述群组读取操作而从所述组读取操作的子组中选择信息;及基于所述所选信息而报告存储于所述目标非易失性存储元件中的所述特定数据值。
地址 美国加利福尼亚州