发明名称 |
谐振器、滤波器、以及电子装置 |
摘要 |
本发明涉及谐振器、滤波器、以及电子装置。该谐振器包括:基板;下电极;压电薄膜,设置在所述下电极上;以及上电极,设置在所述压电薄膜上。所述下电极包括设置在所述基板上的第一薄膜、以及设置在第一薄膜上并且比重大于第一薄膜的比重的第二薄膜。所述压电薄膜设置在第二薄膜上。所述上电极包括设置在所述压电薄膜上的第三薄膜、以及设置在第三薄膜上的第四薄膜,第三薄膜的比重大于第四薄膜的比重。第三薄膜比第二薄膜厚。 |
申请公布号 |
CN101741343B |
申请公布日期 |
2012.10.03 |
申请号 |
CN200910168371.X |
申请日期 |
2009.08.31 |
申请人 |
太阳诱电株式会社 |
发明人 |
谷口真司;西原时弘;岩城匡郁;上田政则;远藤刚;横山刚;坂下武;原基扬 |
分类号 |
H03H9/15(2006.01)I;H03H9/54(2006.01)I |
主分类号 |
H03H9/15(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
李辉;孙海龙 |
主权项 |
一种谐振器,该谐振器包括:基板;下电极;压电薄膜,设置在所述下电极上;以及上电极,设置在所述压电薄膜上,所述下电极包括设置在所述基板上的第一薄膜、以及设置在所述第一薄膜上并且比重大于所述第一薄膜的比重的第二薄膜,所述压电薄膜设置在所述第二薄膜上,所述上电极包括设置在所述压电薄膜上的第三薄膜、以及设置在所述第三薄膜上的第四薄膜,所述第三薄膜的比重大于所述第四薄膜的比重,所述第三薄膜比所述第二薄膜厚,以及所述谐振器还包括设置在所述第三薄膜和所述第四薄膜之间的薄膜。 |
地址 |
日本东京都 |