| 发明名称 | 具有共源结构的MOS晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种具有共源结构的MOS晶体管及其制造方法，所述制造方法包括：在半导体衬底上依次形成栅极介质层及相邻MOS晶体管的栅电极；进行LDD注入，形成相邻MOS晶体管的轻掺杂漏极；在所述栅电极靠近轻掺杂漏极的一侧形成侧墙；进行源/漏极注入，形成相邻MOS晶体管的漏极和共源结构。本发明通过在MOS标准工艺基础上的局部调整，仅在漏极一侧形成LDD结构，而没有在共源区形成LDD结构，降低了导电沟道的电阻，加长了导电沟道的长度，减轻了短沟道效应，提高了器件反应速度和整体的电性能。本发明对标准工艺流程仅作局部调整，其流程简单，对产能和成本不会产生较大影响。 | ||
| 申请公布号 | CN102044435B | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN200910197457.5 | 申请日期 | 2009.10.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 李奉载 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种具有共源结构的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上依次形成栅极介质层及相邻MOS晶体管的栅电极；进行LDD注入，形成相邻MOS晶体管的轻掺杂漏极，而在相邻MOS晶体管的共源极区域没有进行LDD注入；在所述栅电极靠近轻掺杂漏极的一侧形成侧墙；进行源/漏极注入，形成相邻MOS晶体管的漏极和共源结构，所述LDD结构仅形成于所述漏极结构内，所述源/漏极注入剂量比所述LDD注入剂量高两个数量级。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||