发明名称 |
N型超结VDMOS中P型柱的形成方法 |
摘要 |
本发明公开了一种N型超结VDMOS中P型柱的形成方法,包括步骤:步骤一、在一N型硅衬底上形成N型漏区以及N型硅外延层,在N型外延层上刻蚀出V型槽或锥形孔;步骤二、生长一层牺牲氧化层,对V型槽或锥形孔进行高能量P型杂质的注入,注入后N型外延层中的P型杂质总量与N型杂质总量相等;步骤三、对注入的P型杂质进行高温推进,形成P型柱;步骤四、去除牺牲氧化层,在V型槽或锥形孔中填满氧化硅,表面进行研磨平整,接着形成N型超结VDMOS的源区、栅极以及源、漏和栅极的金属接触。本发明能够降低工艺成本,并能实现器件的低导通电阻高耐压特性,且工艺参数的可调节性强,适用范围广。 |
申请公布号 |
CN102129997B |
申请公布日期 |
2012.10.03 |
申请号 |
CN201010027302.X |
申请日期 |
2010.01.18 |
申请人 |
上海华虹NEC电子有限公司 |
发明人 |
钱文生;韩峰 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
一种N型超结VDMOS中P型柱的形成方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、在一N型硅衬底上形成N型漏区以及N型硅外延层,在所述N型硅外延层上刻蚀出V型槽或锥形孔;步骤二、在所述V型槽或锥形孔的底部表面和侧壁表面生长一层牺牲氧化层,对所述V型槽或锥形孔进行高能量P型杂质的注入,注入后所述N型硅外延层中的P型杂质总量与N型杂质总量相等;步骤三、对所述注入的P型杂质进行高温推进,形成所述P型柱;步骤四、去除所述牺牲氧化层,在所述V型槽或锥形孔中填满氧化硅,表面进行研磨平整,接着形成所述N型超结VDMOS的源区、栅极以及源、漏和栅极的金属接触。 |
地址 |
201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |