| 发明名称 | 自对准金属硅化物的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种自对准金属硅化物的形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面至少有一硅区域；在所述半导体基底上形成至少两层金属层，所述至少两层金属层的溅射功率随形成各层金属层的次序依次增加；对所述半导体基底进行退火工艺，所述硅区域与所述至少两层金属层反应生成金属硅化物；刻蚀去除所述至少两层金属层中未发生反应的部分。本发明避免了金属层中合金元素分布不均匀的问题，防止了半导体基底中心区域的镍元素扩散侵入问题，提高了器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102024690B | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN200910196203.1 | 申请日期 | 2009.09.23 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 杨瑞鹏;孔祥涛;聂佳相;胡宇慧 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面至少有一硅区域；在所述半导体基底上形成至少两层金属层，所述至少两层金属层的溅射功率随形成各层金属层的次序依次增加，且所述至少两层金属层形成过程中的氩气流量随形成各层金属层的次序依次减小；对所述半导体基底进行退火工艺，所述硅区域与所述至少两层金属层反应生成金属硅化物；刻蚀去除所述至少两层金属层中未发生反应的部分。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||