| 发明名称 | 一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法，其中，包括下列步骤：提供一种具有NMOS晶体管和PMOS晶体管的半导体衬底；在所述半导体衬底上沉积一层第一氮化硅层；在所述第一氮化硅层的表面沉积一层第二氮化硅层，所述第二氮化硅层为掺杂有杂质元素的氮化硅层，所述第一氮化硅层和所述第二氮化硅层组成高拉应力的氮化硅薄膜；蚀刻所述PMOS晶体管表面，去除所述PMOS管表面的第一氮化硅层和第二氮化硅层；对所述半导体衬底进行快速热退火工艺；对所述NMOS晶体管进行刻蚀，去除NMOS晶体管表面的第一氮化硅层和第二氮化硅层。本发明的目的是提供一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法。该方法，优化了工艺，减小成本，同时能够改善器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102709178A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201210158843.5 | 申请日期 | 2012.05.22 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 徐强 |
| 分类号 | H01L21/318(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/318(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 王敏杰 |
| 主权项 | 一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一种具有NMOS晶体管和PMOS晶体管的半导体衬底；在所述半导体衬底上沉积一层第一氮化硅层；在所述第一氮化硅层的表面沉积一层第二氮化硅层，所述第二氮化硅层为掺杂有杂质元素的氮化硅层，所述第一氮化硅层和所述第二氮化硅层组成高拉应力的氮化硅薄膜；蚀刻所述PMOS晶体管表面，去除所述PMOS管表面的第一氮化硅层和第二氮化硅层；对所述半导体衬底进行快速热退火工艺；对所述NMOS晶体管进行刻蚀，去除NMOS晶体管表面的第一氮化硅层和第二氮化硅层。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||