发明名称 |
太阳电池结构及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种太阳电池结构及其制备方法,该电池结构包括硅片基材,在基材正面是覆盖有减反膜的前表面场,在基材的背面依次是本征氢化非晶硅层、p型氢化非晶硅层、TCO和Al背场,在前表面场上的正面电极的细栅线上也覆盖TCO。制备方法为先将基材制绒,然后进行扩散工艺,在基材正面形成前表面场,在前表面场的表面沉积减反膜,制作正面电极;在背面依次沉积本征氢化非晶硅和p型氢化非晶硅、TCO,最后蒸镀Al背场。本发明的有益效果是:1.用非晶硅薄膜钝化膜,避免了长时间的高温过程,并能拉宽带隙,使开路电压增大。2.在电池表面镀一层TCO薄膜,能够连接断栅,减小电池的串联电阻,并且起到保护金属电极防止氧化的作用。 |
申请公布号 |
CN102709338A |
申请公布日期 |
2012.10.03 |
申请号 |
CN201210140619.3 |
申请日期 |
2012.05.08 |
申请人 |
常州天合光能有限公司 |
发明人 |
李炳云;余冬冬;高焱 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
常州市维益专利事务所 32211 |
代理人 |
王凌霄 |
主权项 |
一种太阳电池结构,包括硅片基材(1),在硅片基材(1)的正面是前表面场,前表面场上制作正面电极(3),其特征是:硅片基材(1)通过非晶硅薄膜钝化,在非晶硅薄膜上制作Al背场(7)。 |
地址 |
213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 |