外延薄膜形成的方法与装置

摘要

在第一方面中，本发明提供第一系统以用于半导体器件制造。此第一系统包括：(1)外延腔室，所述外延腔室适用以在基材的表面上形成材料层；以及(2)等离子体产生器，所述等离子体产生器耦接于所述外延腔室，且适用以导引等离子体至所述外延腔室。本发明提供许多其它方面。

主权项

一种半导体组件制造装置，包含：外延腔室，适用以在基材的表面上形成材料层次；以及等离子产生器，其耦接于该外延腔室，且适用以导引等离子至该外延腔室；其中该外延腔室适用以在基材清洁与外延薄膜形成的至少一个期间加热该基材至低于700℃的温度。