具有本体控制的双沟道晶体管及具有该晶体管的电路

摘要

通过提供具有本体控制的双沟道晶体管(200、400、500P、500N)，使得增加功能与提升稳定度的结合可被实现。例如，用于静态随机存取内存单元(RAM cells)(560)的触发器电路(550)可由具有本体控制的双沟道晶体管(200、400、500P、500N)形成，因此，减少每单元所需求的晶体管数量，如此可导致信息密度增加。

主权项

一种电子电路，包含：场效晶体管，包含：漏极区域和源极区域，具有第一导电类型；本体区域，至少形成于该漏极区域和该源极区域之间，该本体区域具有不同于该第一导电类型的第二导电类型；栅极电极，形成在该本体区域的沟道区域之上，该栅极电极通过绝缘层与该沟道区域分离；掺杂区域，位于该漏极区域与该源极区域之间，且具有该第一导电类型；本体终端，连接至该本体区域，并配置成用以接收可变控制电压；以及电路元件，连接至该场效晶体管，以便形成具有信号输入终端和信号输出终端的结合装置，其中，该信号输入终端和该信号输出终端的其中之一连接至该本体终端，而该信号输入终端和该信号输出终端的另一个连接至该栅极电极。