多量子阱结构及其制造方法、发光二极管

摘要

本发明公开了一种多量子阱结构以及发光二极管，所述多量子阱结构设置于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间，所述多量子阱结构包括多个势垒层以及被势垒层隔开的多个有源层，有源层的能量带隙小于相邻的势垒层的能量带隙，势垒层的能量带隙小于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层的能量带隙，并且，多个势垒层的能量带隙从两侧向中间逐渐减小，多个有源层的能量带隙也从两侧向中间逐渐减小，其中，多个有源层的能量带隙均在1.59eV至3.17eV之间。本发明可有效地防止载流子逃逸，提高发光二极管的内量子效率；此外，所述发光二极管为白光LED，具有体积小、能耗少、响应快、寿命长、无污染的优点。

主权项

一种多量子阱结构，所述多量子阱结构设置于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间，所述多量子阱结构包括多个势垒层以及被势垒层隔开的多个有源层，所述有源层的能量带隙小于相邻的势垒层的能量带隙，所述势垒层的能量带隙小于所述第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层的能量带隙，并且，所述多个势垒层的能量带隙从两侧向中间逐渐减小，所述多个有源层的能量带隙也从两侧向中间逐渐减小，所述多个有源层的能量带隙均在1.59eV至3.17eV之间，所述多个势垒层和多个有源层均由III‑V族化合物构成，所述第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层由GaN构成，所述多个势垒层由In1‑yGayN构成，所述多个有源层由In1‑xGaxN构成，其中，0.1＜x＜1，x＜y＜1。