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一种太阳电池元件，其包括：一光电转换结构，形成于一半导体基板上，该光电转换结构包含第一及第二导电性型半导体层；一第一电极，形成于该光电转换结构上；一第二电极，形成于一透明基板上；一量子点层，形成于该第二电极之上；以及一反应腔体，形成于该半导体基板与该透明基板之间，且该反应腔体内充灌有电解液，藉以进行该量子点层的光化学反应。如申请专利范围第1项所述之太阳电池元件，其中该第一导电性型半导体层形成于该第二导电性型半导体层上，该第一导电性型半导体层包含N型半导体且该第二导电性型半导体层包含P型半导体。如申请专利范围第1项所述之太阳电池元件，进一步包括：一本质型半导体层，形成于该第一及第二导电性型半导体层之间。如申请专利范围第1项所述之太阳电池元件，其中该第二电极的组成材料为氧化铟锡(ITO)或掺氟氧化铟(FTO)。如申请专利范围第1项所述之太阳电池元件，进一步包括：一粗糙结构，形成于该量子点层与该第二电极之间。如申请专利范围第1项所述之太阳电池元件，进一步包括：一金属硫化物层，形成于该第一电极与该电解液之间，该金属硫化物层的组成材料选自由硫化铜、硫化金属钴、硫化锌以及硫化镍组成的材料群之至少一者。如申请专利范围第1项所述之太阳电池元件，其中该量子点层的组成材料选自由硫化镉(CdS)、硒化镉(CdSe)、硫化镉/硒化镉(CdS/CdSe)、硒化锌(ZnSe)及硒化镉/硒化锌(CdSe/ZnSe)组成的材料群之至少一者。如申请专利范围第7项所述之太阳电池元件，其中该量子点层的组成材料所形成之量子点平均直径介于1nm至30nm之间。如申请专利范围第1项所述之太阳电池元件，其中该电解液包括硫化钠、硫、及氯化钾的甲醇溶液或水溶液。如申请专利范围第1项所述之太阳电池元件，其中该第二电极包含一交指状的金属电极及一透明电极，且该透明电极形成于该金属电极上。 |
