发明名称 晶片式热敏电阻
摘要 一种晶片式热敏电阻,包含有一具有一顶面与一底面之基板、二分别设置于基板相反两侧之电极单元、一设置于基板顶面的热敏电阻层,以及一保护单元。该热敏电阻层具有一设置于该基板顶面的部,以及一由该部向四周延伸并与所述电极单元相连接之延伸部。该保护单元均包括有一内保护层及一外保护层,内保护层具有一遮蔽该热敏电阻层之中间保护段,及一延伸自中间保护段并遮蔽连接各电极单元局部之环绕保护段,而外保护层是位于内保护层外并遮蔽连接各电极单元局部。藉此提供密封效果更佳,且能有效薄型化之功效。
申请公布号 TWM438690 申请公布日期 2012.10.01
申请号 TW101204917 申请日期 2012.03.19
申请人 天二科技股份有限公司 发明人 叶秀兰;张简丽珠;黄幼轩;李碧甄;洪琳智;张简秀缎;王家凌;曾正和;李泉兴
分类号 H01C7/00 主分类号 H01C7/00
代理机构 代理人 高玉骏 台北市松山区南京东路3段248号7楼;杨祺雄 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 一种晶片式热敏电阻,包含:一基板,具有一顶面与一底面;二电极单元,分别设置于该基板相反两侧;一热敏电阻层,设置于该基板之顶面,该热敏电阻层具有一设置于该基板顶面的中央部,以及一由该中央部向四周延伸并与所述电极单元相连接之延伸部;以及一保护单元,括有一内保护层,及一外保护层,该内保护层具有一遮蔽该热敏电阻层之中央部的中间保护段,及一延伸自该中间保护段并遮蔽连接各该电极单元局部之环绕保护段。根据申请专利范围第1项所述之晶片式热敏电阻,其中,每一电极单元包括有一设置于该基板之顶面的正端极、一设置于该基板之底面的背端极,及一连接该正端极、该背端极与该基板侧缘之侧端极。根据申请专利范围第2项所述之晶片式热敏电阻,其中,该热敏电阻层之延伸部并与该正端极相连接。根据申请专利范围第3项所述之晶片式热敏电阻,还包含有二侧保护单元,每一侧保护单元包括一连接该外保护层且遮蔽各该电极单元与该基板局部之镍层,及一包覆于该镍层外部之锡层。根据申请专利范围第1或4项所述之晶片式热敏电阻,还包含有一字码层,该字码层是位于该基板的顶面上方且设置于该保护单元之外保护层上。
地址 高雄市大寮区大寮路323巷143号