显示器及其制造方法

摘要

一种显示器，包括一显示面板，包括至少一导线以及至少一线路端子与该导线连接；一构装件；一导电件，位于该构装件以及该线路端子之间，使得该构装件与该线路端子电性连接；以及一保护层，大体遮蔽该导线，其中该保护层系不覆盖该构装件。

主权项

一种显示器，包括：一显示面板，包括至少一导线以及至少一线路端子与该导线连接；一构装件；一导电件，位于该构装件以及该线路端子之间，使得该构装件与该线路端子电性连接；以及一保护层，由该导电件朝该导线延伸并大体遮蔽该导线，其中该保护层系不覆盖该构装件，该保护层与该导电件之材料相同。如申请专利范围第1项所述之显示器，更包括一电路板与该构装件连接。如申请专利范围第2项所述之显示器，其中该电路板包括一印刷电路板或一软性电路板。如申请专利范围第1项所述之显示器，其中该显示面板更包括一驱动晶片与该线路端子连接。如申请专利范围第1项所述之显示器，更包括一驱动晶片位于该构装件上。如申请专利范围第1项所述之显示器，其中该保护层之材料包括异方性导电胶(anisotropic conductive film，ACF)。如申请专利范围第1项所述之显示器，其中该保护层之厚度约为0.04毫米至0.3毫米。如申请专利范围第1项所述之显示器，其中该导电件包括异方性导电胶(anisotropic conductive film，ACF)或银胶。如申请专利范围第1项所述之显示器，其中该显示面板系为一液晶显示面板、一有机发光二极体显示面板、一电浆显示面板或一微机电显示面板。一种显示器，包括：一显示面板，包括至少一导线以及至少一线路端子与该导线连接；一构装件；一导电件，位于该构装件以及该线路端子之间，使得该构装件与该线路端子电性连接；以及一保护层，由该导电件朝该导线延伸并大体遮蔽该导线，其中该保护层之材料包括异方性导电胶(anisotropic conductive film，ACF)，该保护层与该导电件之材料相同。一种制造显示器之方法，包括：提供一显示面板，该显示面板包括至少一导线以及至少一线路端子与该导线连接；提供一导电件于该线路端子上；提供一构装件于该导电件上；以及提供一第一压头并利用该第一压头对应该导电件对该构装件加压，藉此，该导电件系连接该线路端子以及该构装件，其中一保护层系由该导电件朝该导线延伸并大体遮蔽该导线且该保护层系不覆盖该构装件，该保护层与该导电件之材料相同且同时形成。如申请专利范围第11项所述之方法，于利用该第一压头对应该导电件对该构装件加压之步骤后，更包括提供该保护层于该导线上。如申请专利范围第12项所述之方法，更包括利用该第一压头对应该导线对该保护层加压。如申请专利范围第13项所述之方法，更包括利用该第一压头同时对应该导电件以及该导线对该构装件以及该保护层再次加压。如申请专利范围第12项所述之方法，更包括提供一第二压头并利用该第二压头对应该导线对该保护层加压。如申请专利范围第15项所述之方法，其中该第二压头提供之压力约为1kg/cm2至10 kg/cm2。如申请专利范围第15项所述之方法，其中该第二压头提供之压力约为6kg/cm2至8 kg/cm2。如申请专利范围第15项所述之方法，其中该第二压头之操作温度为40℃至80℃。如申请专利范围第15项所述之方法，其中该第二压头之操作温度为60℃至80℃。如申请专利范围第15项所述之方法，其中该第二压头之操作时间为1秒至5秒。如申请专利范围第15项所述之方法，其中该第二压头之操作时间为1秒至2秒。如申请专利范围第15项所述之方法，更包括提供一正压压头同时对应该导电件以及该导线对该构装件以及该保护层加压。如申请专利范围第11项所述之方法，更包括提供一正压压头同时对应该导电件以及该导线对该构装件以及该保护层加压。如申请专利范围第23项所述之方法，更包括利用该第一压头对应该导线对该保护层加压。如申请专利范围第23项所述之方法，于利用该第一压头对应该导电件对该构装件加压之步骤后，更包括提供该保护层于该导线上。如申请专利范围第25项所述之方法，更包括利用该第一压头对应该导线对该保护层加压。如申请专利范围第23项所述之方法，其中该正压压头提供之压力为10 kg/cm2至50 kg/cm2。如申请专利范围第23项所述之方法，其中该正压压头提供之压力为40 kg/cm2至50 kg/cm2。如申请专利范围第23项所述之方法，其中该正压压头之操作温度为150℃至220℃。如申请专利范围第23项所述之方法，其中该正压压头之操作温度为180℃至200℃。如申请专利范围第23项所述之方法，其中该正压压头之操作时间为5秒至10秒。如申请专利范围第23项所述之方法，其中该正压压头之操作时间为1秒至5秒。如申请专利范围第11项所述之方法，其中该保护层系为该导电件之一部分。如申请专利范围第11项所述之方法，其中该保护层之厚度约为或0.04毫米至0.3毫米。如申请专利范围第11项所述之方法，其中该导电件包括异方性导电胶(anisotropic conductive film，ACF)。如申请专利范围第11项所述之方法，其中该保护层之材料包括异方性导电胶(anisotropic conductive film，ACF)。如申请专利范围第11项所述之方法，其中该第一压头提供之压力为5kg/cm2至10 kg/cm2。如申请专利范围第11项所述之方法，其中该第一压头之操作温度为40℃至80℃。如申请专利范围第11项所述之方法，其中该第一压头之操作温度为60℃至80℃。如申请专利范围第11项所述之方法，其中该第一压头之操作时间为0.1秒至1秒。如申请专利范围第11项所述之方法，其中该第一压头之操作时间为0.2秒。