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一种资料储存系统，包括：一第一储存单元，采用一单层式架构以记录资料；一第二储存单元，采用一多层式架构以记录资料；一控制器，耦接至该第一储存单元、该第二储存单元及一主机端，用以在该主机端运作时，通知该主机端该第一储存单元为主要(Master)储存装置，以及通知该主机端该第二储存单元为一次要(Slave)储存装置，其中该第一储存单元及该第二储存单元是由一储存装置分割而成，其中该储存装置为一多层记忆胞快闪记忆体，该第一储存单元为该储存装置之一第一逻辑位址区段，而该第二储存单元为该储存装置之一第二逻辑位址区段，其中该第一逻辑位址区段只使用下页储存资料，该第二逻辑位址区段使用下页及上页储存资料。如申请专利范围第1项所述之资料储存系统，其中该控制器包括藉由回应一所有权(proprietary)指令及一厂商特定指令(Vendor Specific Command)其中之一给该主机端，以提供该主机端确认该第一储存单元及该第二储存单元之身份。如申请专利范围第1项所述之资料储存系统，其中该第一储存单元及该第二储存单元更分别储存有一系统资讯，该控制器包括由所耦接的该等储存装置所提供的该系统资讯，来办识其储存架构型态，再据此设定其为该主要储存装置或该次要储存装置。如申请专利范围第1项所述之资料储存系统，其中该控制器更包括接收并辨识该主机端所传送之一资料，当辨识该资料为第一类资料时，传送该资料至该第一储存单元，当辨识该资料为第二类资料时，传送该资料至该第二储存单元。如申请专利范围第4项所述之资料储存系统，其中该第一类资料包括作业系统资讯，而该第二类资料包括档案资料。如申请专利范围第4项所述之资料储存系统，其中该第一类资料包括指定传送至主要储存装置的资料，而该第二类资料包括指定传送至次要储存装置的资料。如申请专利范围第1项所述之资料储存系统，其中该控制器包括在该主机端开机运作时，从该储存装置读取该第一逻辑位址区段及该第二逻辑位址区段的资讯，据以设定该第一逻辑位址区段为该主要储存装置，以及设定该储存装置之该第二逻辑位址区段为该次要储存装置。如申请专利范围第1项所述之资料储存系统，其中该控制器包括透过一平行进阶技术附加(Parallel Advanced Technology Attachment,PATA)介面及一序列进阶技术附加(Serial Advanced Technology Attachment,SATA)介面其中之一连接至该主机端。如申请专利范围第1项所述之资料储存系统，其中该第一储存单元及第二储存单元中之一分割资讯区块是设有防写保护。如申请专利范围第1项所述之资料储存系统，其中该第一储存单元及第二储存单元是整合为一硬体装置。一种资料储存系统，包括：一第一储存单元，采用一单层式架构以记录资料；一第二储存单元，采用一多层式架构以记录资料；一第一控制器，耦接至该第一储存单元及一主机端，用以设定该第一储存单元为一主要储存装置；以及一第二控制器，耦接至该第二储存单元及该主机端，用以设定该第二储存单元为一次要储存装置，其中该第一储存单元及该第二储存单元皆为多层记忆胞快闪记忆体，其中，该第一储存单元只使用下页储存资料，该第二储存单元使用下页及上页储存资料。如申请专利范围第11项所述之资料储存系统，其中该第一控制器及该第二控制器包括藉由回应一所有权指令及一厂商特定指令其中之一给该主机端，以提供该主机端确认该第一储存单元及该第二储存单元之身份。如申请专利范围第11项所述之资料储存系统，其中该第一控制器更包括接收并辨识该主机端所传送之一资料，当辨识该资料为第一类资料时，传送该资料至该第一储存单元。如申请专利范围第13项所述之资料储存系统，其中该第二控制器更包括接收并辨识该主机端所传送之该资料，当辨识该资料为第二类资料时，传送该资料至该第二储存单元。如申请专利范围第14项所述之资料储存系统，其中该第一类资料包括作业系统资讯，而该第二类资料包括档案资料。如申请专利范围第14项所述之资料储存系统，其中该第一类资料包括指定传送至主要储存装置的资料，而该第二类资料包括指定传送至次要储存装置的资料。如申请专利范围第11项所述之资料储存系统，其中该第一控制器及该第二控制器包括透过一平行进阶技术附加介面及一序列进阶技术附加介面其中之一连接至该主机端。如申请专利范围第11项所述之资料储存系统，其中该第一控制器及该第二控制器包括整合为一硬体装置。如申请专利范围第11项所述之资料储存系统，其中该第一储存单元及第二储存单元是整合为一硬体装置。如申请专利范围第11项所述之资料储存系统，其中该第一控制器、该第二控制器及该第一储存单元包括整合为一硬体装置。一种资料储存方法，适于将一资料储存至一第一储存单元或一第二储存单元，其中该第一储存单元采用一单层式架构以记录资料，而该第二储存单元则采用一多层式架构以记录资料，该方法包括下列步骤：连结该第一储存单元及该第二储存单元至一主机端；利用一控制器辨识该第一储存单元及该第二储存单元，而取得一辨识资讯；根据该辨识资讯，设定该第一储存单元为一主要储存装置，以及该第二储存单元为一次要储存装置；以及回应一所有权指令及一厂商特定指令其中之一给该主机端，以提供该主机端确认该第一储存单元及该第二储存单元之身份。如申请专利范围第21项所述之资料储存方法，其中该辨识资讯是由该控制器办识所耦接的该等储存装置架构，并依此设定一单层式架构储存装置为该主要储存装置，设定一多层式架构储存装置为该次要储存装置。如申请专利范围第21项所述之资料储存方法，更包括：利用该控制器接收该主机端所传送之一资料；以及利用该控制器辨识该资料之种类，而据以传送该资料，其中当该控制器辨识该资料为第一类资料时，传送该资料至该第一储存单元，当辨识该资料为第二类资料时，传送该资料至该第二储存单元。如申请专利范围第21项所述之资料储存方法，其中该第一类资料包括作业系统资讯，而该第二类资料包括档案资料。如申请专利范围第21项所述之资料储存方法，其中该第一类资料包括指定传送至主要储存装置的资料，而该第二类资料包括指定传送至次要储存装置的资料。如申请专利范围第21项所述之资料储存方法，其中该第一储存单元为一单层记忆胞快闪记忆体，而该第二储存单元为一多层记忆胞快闪记忆体。如申请专利范围第21项所述之资料储存方法，其中该第一储存单元及该第二储存单元包括由一储存装置分割而成，其中该第一储存单元为该储存装置之一第一逻辑位址区段，而该第二储存单元为该储存装置之一第二逻辑位址区段。如申请专利范围第27项所述之资料储存方法，其中利用该控制器辨识该第一储存单元及一第二储存单元，而取得该辨识资讯的步骤包括：利用该控制器读取该储存装置之一分割资讯(Partition Information)区块以取得该第一逻辑位址区段及该第二逻辑位址区段的资讯做为该辨识资讯。如申请专利范围第27项所述之资料储存方法，其中该储存装置为一多层记忆胞快闪记忆体。如申请专利范围第29项所述之资料储存方法，其中该第一逻辑位址区段只使用下页储存资料，该第二逻辑位址区段使用下页及上页储存资料。一种控制器，其适用于一第一储存单元及一第二储存单元，该控制器包括：一主机连结介面，耦接至一主机单元；一微处理单元，用以控制该控制器的整体运作；一主要非挥发性记忆体介面，电性连接至该微处理单元并且用以存取该第一储存单元，其中该第一储存单元采用一单层式架构以记录资料；一次要非挥发性记忆体介面，电性连接至该微处理单元并且用以存取该第二储存单元，其中该第二储存单元采用一多层式架构以记录资料；以及一记忆体管理单元，电性连接至该微处理单元并且用以管理该第一储存单元及第二储存单元，其中该记忆体管理模组辨识该第一储存单元及该第二储存单元，并根据一辨识资讯，设定该第一储存单元为一主要储存装置，以及该第二储存单元为一次要储存装置，其中该记忆体管理单元回应一所有权指令及一厂商特定指令其中之一给该主机端，以提供该主机端确认该第一储存单元及该第二储存单元之身份。如申请专利范围第31项所述之控制器，其中该辨识资讯是由该控制器办识所耦接的该等储存装置架构，并设定一单层式架构储存装置为该主要储存装置，设定一多层式架构储存装置为该次要储存装置。如申请专利范围第31项所述之控制器，其中该记忆体管理单元更包括接收该主机端所传送之一资料，并辨识该资料之种类传送至该第一储存单元或该第二储存单元。如申请专利范围第31项所述之控制器，其中该记忆体管理单元辨识该资料之种类为作业系统资讯时，传送至该第一储存单元，辨识该资料之种类为档案资料时，传送至该第二储存单元。如申请专利范围第31项所述之控制器，其中该记忆体管理单元辨识该资料之种类为指定传送至主要储存装置的资料时，传送至该第一储存单元，辨识该资料之种类为指定传送至次要储存装置的资料时，传送至该第二储存单元。如申请专利范围第31项所述之控制器，其中该第一储存单元为一单层记忆胞快闪记忆体，而该第二储存单元为一多层记忆胞快闪记忆体。如申请专利范围第31项所述之控制器，其中该第一储存单元及该第二储存单元包括由一储存装置分割而成，其中该第一储存单元为该储存装置之一第一逻辑位址区段，而该第二储存单元为该储存装置之一第二逻辑位址区段。如申请专利范围第31项所述之控制器，其中该记忆体管理单元对第一储存单元及第二储存单元中之一分割资讯区块是设有防写保护。一种控制器模组，其适用于一第一储存单元及一第二储存单元，该控制器包括：一主机连结介面，耦接至一主机单元；一第一控制单元，具有一电连接至该第一储存单元之主要非挥发性记忆体介面，其中该第一储存单元采用一单层式架构以记录资料；以及一第二控制单元，具有一电连接至该第二储存单元之次要非挥发性记忆体介面，其中该第二储存单元采用一多层式架构以记录资料；藉此，该第一控制单元及第二控制单元分别根据一辨识资讯，设定该第一储存单元为一主要储存装置，以及该第二储存单元为一次要储存装置，其中该第一储存单元及该第二储存单元皆为多层记忆胞快闪记忆体，其中，该第一储存单元只使用下页储存资料，该第二储存单元使用下页及上页储存资料。 |
