发明名称 光阻图形之形成方法
摘要 本发明系揭示一种光阻图形之形成方法,其特征为,包含将正型光阻组成物涂布于支持体1上形成第一光阻膜2之步骤,及介由第一图罩图形对前述第一光阻膜2选择性曝光后,显像形成第一光阻图形3之步骤,及将含有含醇系有机溶剂之有机溶剂(S”)的负型光阻组成物涂布于,形成第一光阻图形3之前述支持体1上形成第二光阻膜6之步骤,及介由第二图罩图形对前述第二光阻膜6选择性曝光后,显像形成比前述第一光阻图形3更细密之光阻图形的步骤。
申请公布号 TWI373691 申请公布日期 2012.10.01
申请号 TW096133271 申请日期 2007.09.06
申请人 东京应化工业股份有限公司 发明人 岩下淳
分类号 G03F7/20 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种光阻图形之形成方法,其系包含将正型光阻组成物涂布于支持体上形成第一光阻膜之步骤,及介由第一图罩图形对前述第一光阻膜进行选择性曝光后,显像形成第一光阻图形之步骤,及将含有含醇系有机溶剂之有机溶剂(S”)的负型光阻组成物涂布于形成前述第一光阻图形之前述支持体上形成第二光阻膜之步骤,及介由第二图罩图形对前述第二光阻膜进行选择性曝光,显像形成比前述第一光阻图形更细密之光阻图形之步骤;其特征为前述正型光阻组成物含有下述(A-12)成份及由内酯类、酮类、丙二醇一甲基醚乙酸酯、乳酸乙酯及丙二醇一甲基醚所成群中所选出之1种以上之有机溶剂(S),其中,上述(A-12)成份为含有以下之构成单位:由具有酸解离性溶解抑制基之(α-低级烷基)丙烯酸酯衍生的构成单位(a5)、由具有内酯环之丙烯酸酯衍生的构成单位(a6)及由具有含极性基之多环式基之丙烯酸酯衍生的构成单位(a7)。如申请专利范围第1项之光阻图形的形成方法,其中前述第一光阻图形为,线与空间之光阻图形。如申请专利范围第1项之光阻图形的形成方法,其中前述醇系有机溶剂含有异丁醇。如申请专利范围第1项之光阻图形的形成方法,其中前述负型光阻组成物系由,硷可溶性树脂成份(A”),曝光下可产生酸之酸发生剂成份(B)及交联剂成份(C)溶解于前述有机溶剂(S”)而得。如申请专利范围第4项之光阻图形的形成方法,其中前述硷可溶性树脂成份(A”)含有,具有主链含有含氟化的羟基烷基之脂肪族环式基的构成单位(a1”),及含羟基烷基之构成单位(a2”)的共聚物(A1)。如申请专利范围第4或5项之光阻图形的形成方法,其中前述交联剂成份(C)为,三聚氰胺系交联剂、尿素系交联剂、伸烷基尿素系交联剂及甘脲系交联剂群中所选出之至少1种。如申请专利范围第4项之光阻图形的形成方法,其中前述负型光阻组成物另含有含氮有机化合物(D)。如申请专利范围第1项之光阻图形的形成方法,其中前述负型光阻组成物另含有一含有共聚物(A1)之硷可溶性树脂成份(A”),前述共聚物(A1)含有主链具有含氟化的羟基烷基之脂肪族环式基的构成单位(a1”)。如申请专利范围第8项之光阻图形的形成方法,其中前述构成单位(a1”)含有下述一般式(a1-1)所示构成单位(a1-1),@sIMGTIF!d10001.TIF@eIMG!〔式中,X”为氟化的羟基烷基,r为0或1〕。
地址 日本