发明名称 湿处理似碟状基材之装置及方法
摘要 本发明揭露一种用于湿式处理似碟状物件的装置,其包含有:-一第一碟件-用于固持一单一似碟状物件之固持构件,其系实质上与该第一碟件平行,-第一配送构件,其系用于在进行加工处理时将液体导入一位于该第一碟件与该第一碟件之间的第一间隙,其中该第一碟件系为一矽碟件,其包含有至少99wt%的矽,在该似碟状物件被进行处理的时候,该矽碟件会与加工处理液体接触。本发明进一步揭露一种与该装置有关之方法。
申请公布号 TWI373800 申请公布日期 2012.10.01
申请号 TW096114014 申请日期 2007.04.20
申请人 兰研究公司 发明人 珀非尔 亚历山大;利伯特 亚历山大
分类号 H01L21/304 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 一种用于湿式处理似碟状物件的装置,其包含有:一第一碟件,固持构件,其系用于固持一单一似碟状物件,其系实质上与该第一碟件平行,第一配送构件,其系用于在进行处理时将液体导入位于该第一碟件与该似碟状物件之间的第一间隙,其中该第一碟件系为一矽碟件,其由至少99wt%的矽构成,在该似碟状物件被处理时,该矽碟件会与处理液体接触;其中该装置进一步包含至少一超音波传导器,其系声学上耦接至至少该矽碟件,并且该超音波传导器系经由一耦合液体而间接地耦接至该矽碟件。如申请专利范围第1项之装置,其进一步包含有旋转构件,其系用于使得该固持构件与该第一碟件绕着一实质上垂直于该第一碟件的轴而彼此相对旋转。如申请专利范围第1项之装置,其中该矽碟件系由单晶矽所制成。如申请专利范围第1项之装置,其中该第一配送构件包含有至少一被形成在该矽碟件中之液体供给开口。如申请专利范围第1项之装置,其具有一被耦接至该超音波传导器的共振碟件,其中该第一配送构件包含有至少一被形成在矽碟件中之液体供给开口,且其中该共振碟件系被架构成与该矽碟件平行,以在该共振碟件和该矽碟件之间形成一第二间隙,并且该第二间隙系为该处理液体供给路径的一部分。如申请专利范围第1项之装置,其中在该矽碟件中未形成开口。如申请专利范围第1项之装置,其进一步包含有一第二液体供给构件,其系用于将液体供给至该似碟状物件未面对该第一碟件之侧边上。如申请专利范围第7项之装置,其进一步包含一第二碟件,其系实质上平行于该第一碟件,藉此该第二液体供给构件在加工处理时,可将液体导入介于该第二碟件和该似碟状物件之间的一间隙中。如申请专利范围第1项的装置,其中该耦合液体具有一比阻抗Z,其与该处理液体之比阻抗的差异少于5%。如申请专利范围第1项之装置,其中该超音波传导器系被耦接至该矽碟件,以使得该超音波传导器与该矽碟件形成一介于5°至50°之范围的角度。一种用于似碟状物件之湿式处理的方法,其包含有:固持一单一似碟状物件,将一第一碟件带至实质上与该似碟状物件平行之位置,在进行处理时,将液体导入位于该第一碟件和一似碟状物件之间的第一间隙中,其中该第一碟件系为一矽碟件,其由至少99wt%的矽构成,该矽碟件系与该处理液体接触;其中至少一超音波传导器系声学上耦接至至少该矽碟件,并且该超音波传导器系经由一耦合液体而间接地耦接至该矽碟件。如申请专利范围第11项之方法,其中一超音波能量系经过该矽碟件而施加至该似碟状物件。如申请专利范围第11项之方法,其中该似碟状物件与该第一碟件系绕着一实质上垂直于该第一碟件的轴而彼此相对旋转。
地址 奥地利