| 发明名称 |
钛错合物，其制造方法，含钛薄膜以及其等之形成方法 |
| 摘要 |
本发明的课题为提供具有良好气化特性及优良热安定性、成为用于藉由CVD法或ALD法等的手法来形成含钛薄膜的原料之新颖钛错合物，其制造方法，及使用此等所形成的含钛薄膜以及其形成方法。于本发明中，藉由使通式(2)所表示的二亚胺与金属锂反应，接着与通式(3)所表示的四胺基错合物反应，而制造通式(1)所表示的钛错合物，以该钛错合物当作原料来形成含钛薄膜。;【化1】;(2);【化2】Ti(NR5R6)4(3);【化3】;(1);(式中，R1和R4表示碳数1至6的烷基等。R2和R3各自独立表示氢原子或碳数1至3的烷基等。R5和R6各自独立表示碳数1至4的烷基等)。 |
| 申请公布号 |
TWI373472 |
申请公布日期 |
2012.10.01 |
| 申请号 |
TW095141698 |
申请日期 |
2006.11.10 |
| 申请人 |
东曹股份有限公司 日本;财团法人相模中央化学研究所 日本 |
发明人 |
多田贤一;稻叶孝一郎;古川泰志;千叶洋一;山川哲;大岛宪昭 |
| 分类号 |
C07F7/28 |
主分类号 |
C07F7/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
| 主权项 |
一种钛错合物，其特征为由通式(1)@sIMGTIF!d10007.TIF@eIMG!(式中，R1和R4各自独立表示可经氟原子取代的碳数1至6之烷基，R2和R3各自独立表示氢原子或可经氟原子取代的碳数1至3之烷基，R5和R6各自独立表示可经氟原子取代的碳数1至4之烷基)所表示。如申请专利范围第1项之钛错合物，其中R1和R4各自独立系碳数3至6的二级或三级烷基，R2和R3系氢原子，R5和R6各自独立系甲基或乙基。如申请专利范围第1或2项之钛错合物，其中R1和R4系第三丁基，R2和R3系氢原子，R5和R6系甲基。一种通式(1)所表示的钛错合物之制造方法，其特征为藉由使通式(2)@sIMGTIF!d10008.TIF@eIMG!(R1和R4各自独立表示可经氟原子取代的碳数1至6之烷基，R2和R3 |
| 地址 |
日本;日本 |
