具有改良场极板的半导体装置

摘要

本发明揭示一种场效电晶体及其方法，此装置具有源极和汲极电极以欧姆接触一半导体。一闸极电极－场极板结构是配置于该源极与汲极电极之间。该闸极电极－场极板结构包括一介电质；一第一金属以肖特基(Schottky)接触该半导体；以及一第二金属。该第二金属具有一第一部分，配置于该第一金属之一部分上方，并与其电连接；以及一第二部分，藉该介电质之一部分与该第一金属之第二部分隔开，并且延伸越过该第一金属的一边缘至该第二金属的一边缘。该第一金属的该边缘是进一步来自该汲极电极，而不是该第二金属的该边缘，以提供一场极板于该场效电晶体。

主权项

一种用于形成一场效电晶体的方法，包括：形成源极、汲极、和闸极金属接点至一半导体；形成一介电层于该已形成的源极、汲极、和闸极金属接点上方；形成一第一遮罩于该介电层上方，该第一遮罩具有一窗口配置于该介电层之一部分上方，以曝露出该介电层之一下方部分，该介电层之已曝露部分是位于该闸极金属接点之一部分上方；施加一乾蚀刻至该第一遮罩，以移除藉由该窗口所曝露的该介电层之部分，曝露出该闸极金属接点的该部分，该介电层的剩余部分是留在该闸极金属接点的一边缘区域上方；移除该第一遮罩；形成一第二遮罩于该介电层的该剩余部分上方，该第二遮罩具有一窗口配置于该闸极金属接点的部分上方，以及配置于该闸极金属接点的该边缘部分上方所留下的该介电层之该部分上方；经由该第二遮罩内的该窗口形成一场极板金属，该场极板电连接至该闸极金属接点的该曝露部分；该场极板藉留在该边缘区域上方的该介电层之该部分与该闸极金属接点的该边缘区域隔开；以及该场极板越过该闸极金属接点的该边缘朝向该汲极金属接点延伸。