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一种基板洗净装置，是使用让硫酸和过氧化氢起反应所生成之反应生成物，进行基板的洗净之基板洗净装置，其特征为，具备有：将硫酸与过氧化氢予以混合，生成硫酸-过氧化氢(SPM：sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture)之混合部；及使在前述混合部混合过后的硫酸和过氧化氢升温受到抑制之升温抑制机构；将利用前述升温抑制机构抑制升温之硫酸-过氧化氢，供应至应要洗净基板的表面之供应部；及在被抑制升温的硫酸-过氧化氢接触于该基板表面的状态下将硫酸-过氧化氢予以加热之加热部。如申请专利范围第1项所述之基板洗净装置，其中，前述升温抑制机构系以将硫酸与过氧化氢逐渐予以混合，使过氧化氢维持不会起泡的状态的方式所构成。如申请专利范围第1项所述之基板洗净装置，其中，前述升温抑制机构为用来将混合过后的硫酸和过氧化氢予以冷却之冷却机构。如申请专利范围第3项所述之基板洗净装置，其中，前述冷却机构系以将混合过后的硫酸和过氧化氢予以冷却，使过氧化氢成为不会起泡的温度的方式所构成。如申请专利范围第1项所述之基板洗净装置，其中，反应生成物为卡罗酸(caro's acid)。一种基板洗净方法，是使用让硫酸与过氧化氢起反应所生成之反应生成物，进行基板的洗净之基板洗净方法，其特征为，具备有以下的步骤：将硫酸与过氧化氢予以混合，抑制被混合的硫酸-过氧化氢进行反应同时生成硫酸-过氧化氢之步骤；及将生成之硫酸-过氧化氢，供应至应要洗净基板的表面之步骤；及利用该基板的表面，将供应至前述基板的表面之硫酸-过氧化氢予以加热之步骤。如申请专利范围第6项所述之基板洗净方法，其中，在将硫酸与过氧化氢予以混合之步骤中，将硫酸与过氧化氢逐渐予以混合，使过氧化氢维持不会起泡的状态，藉此来使硫酸和过氧化氢升温受到抑制。如申请专利范围第6项所述之基板洗净方法，其中，将在硫酸与过氧化氢予以混合之步骤中混合过后的硫酸和过氧化氢予以冷却，藉此来使硫酸和过氧化氢升温受到抑制。如申请专利范围第6项所述之基板洗净方法，其中，在将硫酸与过氧化氢予以混合之步骤中混合过后的硫酸和过氧化氢予以冷却，使过氧化氢成为不会起泡的温度，藉此来使硫酸和过氧化氢升温受到抑制。如申请专利范围第6项所述之基板洗净方法，其中，反应生成物为卡罗酸(caro's acid)。一种记忆媒体，是针对使用让硫酸与过氧化氢起反应所生成之反应生成物来进行基板的洗净之基板洗净装置，储存执行基板的洗净之基板洗净程式之记忆媒体，其特征为：前述基板洗净程式具备有以下的步骤：将硫酸与过氧化氢予以混合，生成硫酸-过氧化氢之步骤；及将生成的硫酸-过氧化氢，供应至应要洗净基板的表面之步骤；及利用该基板的表面，将供应至前述基板的表面之硫酸-过氧化氢予以加热之步骤，在依前述基板洗净程式将硫酸与过氧化氢予以混合之步骤中使混合过后的硫酸和过氧化氢升温受到抑制。一种记忆媒体，是针对使用让硫酸与过氧化氢起反应所生成之反应生成物来进行基板的洗净之基板洗净装置，储存执行基板的洗净之基板洗净程式之记忆媒体，其特征为：前述基板洗净程式具备有以下的步骤：将硫酸与过氧化氢予以混合，生成硫酸-过氧化氢之步骤；及将生成的硫酸-过氧化氢，供应至应要洗净基板的表面之步骤；及利用该基板的表面，将供应至前述基板的表面之硫酸-过氧化氢予以加热之步骤，在依前述基板洗净程式将硫酸与过氧化氢予以混合之步骤中，将硫酸和过氧化氢逐渐予以混合，使过氧化氢维持不会起泡的状态，藉此来使硫酸和过氧化氢升温受到抑制。一种记忆媒体，是针对使用让硫酸与过氧化氢起反应所生成之反应生成物来进行基板的洗净之基板洗净装置，储存执行基板的洗净之基板洗净程式之记忆媒体，其特征为：前述基板洗净程式具备有以下的步骤：将硫酸与过氧化氢予以混合，生成硫酸-过氧化氢之步骤；及将生成的硫酸-过氧化氢，供应至应要洗净基板的表面之步骤；及利用该基板的表面，将供应至前述基板的表面之硫酸-过氧化氢予以加热之步骤，将在依前述基板洗净程式将硫酸与过氧化氢予以混合步骤中混合过后的硫酸和过氧化氢予以冷却，藉此来使硫酸和过氧化氢升温受到抑制。一种记忆媒体，是针对使用让硫酸与过氧化氢起反应所生成之反应生成物来进行基板的洗净之基板洗净装置，储存执行基板的洗净之基板洗净程式之记忆媒体，其特征为：前述基板洗净程式具备有以下的步骤：将硫酸与过氧化氢予以混合，生成硫酸-过氧化氢之步骤；及将生成的硫酸-过氧化氢，供应至应要洗净基板的表面之步骤；及利用该基板的表面，将供应至前述基板的表面之硫酸-过氧化氢予以加热之步骤，将在依前述基板洗净程式将硫酸与过氧化氢予以混合之步骤中混合过后的硫酸和过氧化氢予以冷却，使过氧化氢成为不会起泡的温度，藉此来使硫酸和过氧化氢升温受到抑制。如申请专利范围第11项所述之记忆媒体，其中，反应生成物为卡罗酸(caro's acid)。 |
