半导体装置以及制造该半导体装置之方法

摘要

本发明系提供一种半导体装置以及一种制造该半导体装置之方法，该半导体装置包含：形成于半导体基底中之沟槽(groove)；形成于该沟槽之二侧面(side face)上之底氧化物薄膜；形成于该底氧化物薄膜之侧面上之二个电荷储存层；形成于该二个电荷储存层之侧面上之顶氧化物薄膜；以及形成于该沟槽之底面(bottom face)上之矽氧化物层，该矽氧化物层之薄膜厚度(film thickness)系小于该顶氧化物薄膜之薄膜厚度。

主权项

一种半导体装置，包括：沟槽，该沟槽系形成于半导体基底中；底氧化物薄膜，该底氧化物薄膜系形成于该沟槽之二侧面上；二个电荷储存层，该二个电荷储存层系形成于该底氧化物薄膜之侧面上；顶氧化物薄膜，该顶氧化物薄膜系形成于该二个电荷储存层之侧面上；以及矽氧化物层，该矽氧化物层系形成于该沟槽之底面上，且具有较该顶氧化物薄膜为小之薄膜厚度。如申请专利范围第1项之半导体装置，复包括闸极电极，该闸极电极系对应于该二个电荷储存层，该闸极电极系形成于该顶氧化物薄膜之侧面上、以及于该矽氧化物层上。一种半导体装置，包括：沟槽，该沟槽系形成于半导体基底中；底氧化物薄膜，该底氧化物薄膜系形成于该沟槽之二侧面上；二个电荷储存层，该二个电荷储存层系形成于该底氧化物薄膜之侧面上；顶氧化物薄膜，该顶氧化物薄膜系形成于该二个电荷储存层之侧面上；第二沟槽，该第二沟槽系形成于该半导体基底之一部份中，该部份系位于该二个电荷储存层之间；以及矽氧化物层，该矽氧化物层系设置于该第二沟槽之底面上，且具有较该顶氧化物薄膜为小之薄膜厚度。如申请专利范围第3项之半导体装置，复包括闸极电极，该闸极电极系对应于该二个电荷储存层，该闸极电极系形成于该顶氧化物薄膜之侧面上、以及于该第二沟槽中。如申请专利范围第1项之半导体装置，复包括；位元线，该位元线系设置于该沟槽之任一侧上、以及于该半导体基底中。如申请专利范围第1项之半导体装置，其中，该电荷储存层包含氮化矽薄膜。如申请专利范围第1项之半导体装置，其中，该电荷储存层包含浮动闸极。一种制造半导体装置的方法，包括：于半导体基底中形成沟槽；于该沟槽之侧面上及底面上形成电荷储存层；以该电荷储存层之位于该沟槽之该侧面上的部份做为遮罩，移除该电荷储存层的一部份，该部份系位于该沟槽之该底面上；于该电荷储存层之侧面上形成顶氧化物薄膜；以及于该沟槽之该底面上形成矽氧化物层，该矽氧化物层具有较该顶氧化物薄膜为小之薄膜厚度。如申请专利范围第8项之方法，复包括于该沟槽之该侧面及该底面上形成底氧化物薄膜，其中，移除该电荷储存层的一部份包含：以该电荷储存层之位于该沟槽之该侧面上的该部份以及该底氧化物薄膜之位于该沟槽之该侧面上的部份做为遮罩，移除该电荷储存层之该部份、以及移除该底氧化物薄膜之位于该沟槽之该底面上的一部份；以及以低于该沟槽之该侧面上的该底氧化物薄膜之顶面的位置将该电荷储存层之顶面形成于该沟槽之该侧面上。一种制造半导体装置的方法，包括：于半导体基底中形成沟槽；于该沟槽之二侧面及底面上形成电荷储存层；以该电荷储存层之位于该沟槽之该侧面上的部份做为遮罩，移除该电荷储存层之位于该沟槽之该底面上的一部份；于该电荷储存层之侧面上形成顶氧化物薄膜；藉由对该沟槽之该底面进行蚀刻，于该半导体基底中形成第二沟槽；以及于该第二沟槽之侧面及底面上形成矽氧化物层，该矽氧化物层具有较该顶氧化物薄膜为小之薄膜厚度。