形成记忆体单元之方法，电子系统及记忆体单元与记忆体单元之程式化方法

摘要

一些实施例包括具有彼此以介电材料隔开之垂直堆叠式电荷捕获区的记忆体单元。该介电材料可包含高k材料。该等电荷捕获区中之一或多者可包含金属材料。该金属材料可作为诸如奈米点之复数个离散隔离岛状物而存在。一些实施例包括形成记忆体单元之方法，其中两个电荷捕获区形成于穿隧介电质上，该等区相对于彼此垂直地移位，且最接近于该穿隧介电质之区具有比另一区深之陷阱。一些实施例包括包含记忆体单元之电子系统。一些实施例包括程式化具有垂直堆叠式电荷捕获区之记忆体单元的方法。

主权项

一种记忆体单元，其包含彼此以一包含具有一镧系元素、氧及氮之至少一介电材料之区域隔开的一对电荷捕获区；其中该对电荷捕获区中之两者包含复数个奈米粒子；其中该等电荷捕获区中之一者之该等奈米点具有一第一群体密度；且其中该等电荷捕获区中之另一者之该等奈米点具有一第二群体密度，该第二群体密度与该第一群体密度相差至少10%。一种记忆体单元，其包含彼此以一包含具有一镧系元素、氧及氮之至少一介电材料之区域隔开的一对电荷捕获区；其中该对等电荷捕获区中之两者包含复数个奈米粒子；其中该等电荷捕获区中之一者之所有该等奈米点形成一具有一第一平均横截面尺寸之第一群体；其中该等电荷捕获区中之另一者之所有该等奈米点形成一具有一第二平均横截面尺寸之第二群体；其中该第一平均横截面尺寸与该第二平均横截面尺寸相差至少10%；其中该等电荷捕获区相对于彼此垂直地堆叠，该等电荷捕获区中之一者为一下部电荷捕获区且另一者为一上部电荷捕获区；其中该记忆体单元进一步包含该下部电荷捕获区与一下伏半导体基板之间的穿隧介电质；且其中该上部电荷捕获区之该奈米点群体具有一比该下部电荷捕获区之该奈米点群体小的平均横截面尺寸。一种记忆体单元，其包含：一穿隧介电质；该穿隧介电质上之一第一奈米点区，该第一奈米点区之奈米点具有一第一群体密度；该第一奈米点区上之一第二奈米点区，该第二奈米点区之奈米点具有一第二群体密度，该第二群体密度与该第一群体密度相差至少约10%；该第一奈米点区与该第二奈米点区之间的至少一间隔材料；及该第二奈米点区上之一控制闸极。一种记忆体单元，其包含：一穿隧介电质；该穿隧介电质上之一第一奈米点区，该第一奈米点区之奈米点具有一第一平均横截面尺寸；该第一奈米点区上之一第二奈米点区，该第二奈米点区之奈米点具有一第二平均横截面尺寸，该第二平均横截面尺寸与该第一平均横截面尺寸相差至少约10%；该第一奈米点区与该第二奈米点区之间的至少一间隔材料；该第二奈米点区上之一控制闸极；且其中该第二平均横截面尺寸小于该第一平均横截面尺寸。一种记忆体单元，其包含：一穿隧介电质；该穿隧介电质上之一第一奈米点区，该第一奈米点区之奈米点具有一第一平均横截面尺寸；该第一奈米点区上之一第二奈米点区，该第二奈米点区之奈米点具有一第二平均横截面尺寸，该第二平均横截面尺寸与该第一平均横截面尺寸相差至少约10%；该第一奈米点区与该第二奈米点区之间的至少一间隔材料；该第二奈米点区上之一控制闸极；及该第二奈米点区上之一或多个额外奈米点区。如请求项5之记忆体单元，其中该一或多个额外奈米点区中之一者为一第三奈米点区，且其中该第一奈米点区、该第二奈米点区及该第三奈米点区在陷阱深度方面彼此不同。如请求项5之记忆体单元，其包含3至5个总数目之奈米点区。一种电子系统，其包含：一处理器；及与该处理器进行资料通信之记忆体，该记忆体包含复数个记忆体单元；该等个别记忆体单元中之至少一些包含：穿隧介电质；该穿隧介电质上之一第一电荷捕获区；该第一电荷捕获区上之一间隔介电材料；该间隔介电材料上之一第二电荷捕获区；该第二电荷捕获区上之一阻断介电质；该阻断介电质上之一控制闸极；其中该第一电荷捕获区及该第二电荷捕获区分别包含第一奈米粒子及第二奈米粒子；且其中该等第一奈米粒子及该等第二奈米粒子分别形成第一群体及第二群体，该第一群体与该第二群体在群体密度方面彼此不同。如请求项8之电子系统，其中该阻断介电质包含氧化铪及氧化锆中之一者或两者。如请求项8之电子系统，其中该阻断介电质包含铪矽氮氧化物、锆矽氮氧化物、铝酸锆、二氧化矽、矽铝氮氧化物、铝铪氮氧化物、矽钽氮氧化物及铝钽氮氧化物中之一或多者。如请求项8之电子系统，其中该等个别记忆体单元中之该至少一些除了该第一区及该第二区以外还包含至少一其他电荷捕获区。如请求项8之电子系统，其中该等个别记忆体单元中之该至少一些除了该第一区及该第二区以外还包含至少一其他电荷捕获区；且其中所有该等电荷捕获区彼此以含有一或多种镧系元素氮氧化物之间隔介电材料插入层隔开。如请求项12之电子系统，其中该等个别记忆体单元中之该至少一些包含3至5个总数目之电荷捕获区。如请求项8之电子系统，其中：该等个别记忆体单元中之该至少一些除了该第一区及该第二区以外还包含一第三电荷捕获区；该第三电荷捕获区在该第二电荷捕获区上；且该第一电荷捕获区、该第二电荷捕获区及该第三电荷捕获区在陷阱深度方面彼此不同；该第一电荷捕获区具有最深陷阱深度，该第三电荷捕获区具有最浅陷阱深度，且该第二电荷捕获区具有一在该第一电荷捕获区之该陷阱深度与该第三电荷捕获区之该陷阱深度中间的陷阱深度。