有机光电子装置之掺杂以提供可靠性

摘要

本发明系关于具有改良安定性之多层有机装置，其中该装置之至少一层包含形态上不安定之主体材料，及对层提供改良形态性之掺杂材料。此层可并入，例如，有机发光装置(OLEDs)、有机光电晶体管、有机光电池及有机光检测器内。

主权项

一种有机发光装置中之有机层，其包含形态上不安定之主体材料，该主体材料包含电洞阻挡材料；及增强主体材料之形态安定性之掺杂材料，其中掺杂材料在浓度为50重量%或以下存在于主体材料中，且其中有机层在装置中不具有任何发射功能。如请求项1之有机层，其中主体材料为电洞阻挡材料。如请求项1之有机层，其中掺杂材料在浓度为约1%至约45%下存在于主体材料内。如请求项1之有机层，其中掺杂材料在浓度为约5%至约40%下存在于主体材料内。如请求项1之有机层，其中主体材料具有玻璃转化温度为低于约70℃。如请求项5之有机层，其中掺杂材料具有玻璃转化温度为90℃以上。如请求项6之有机层，其中有机层具有玻璃转化温度为80℃以上。如请求项1之有机层，其中主体材料包含小分子材料。如请求项1之有机层，其中主体材料包含聚合材料。如请求项1之有机层，其中主体阻挡材料为激子阻挡材料。如请求项1之有机层，其中主体阻挡材料为电子阻挡材料。一种有机发光装置，其包含阳极；阴极；配置在阳极与阴极间并与其电连接之第一有机层，其中第一有机层为发射层；及配置在第一有机层与阴极之间或在第一有机层与阳极之间之第二有机层，其中第二有机层为阻挡层，其中第二有机层包含：形态上不安定之主体材料；及增强主体材料之形态安定性之掺杂材料，其中掺杂材料在浓度为50重量%或以下存在于主体材料中，及其中装置具有使用期限，其长于具有不含掺杂材料之第二有机层之类似装置至少约25%。如请求项12之有机发光装置，其中第二有机层为电洞阻挡层。如请求项12之有机发光装置，其中主体材料为Bphen而掺杂材料为BAlq。如请求项12之有机发光装置，其中掺杂材料在浓度为约1%至约45%下存在于主体材料内。如请求项15之有机发光装置，其中掺杂材料在浓度为约5%至约40%下存在于主体材料内。如请求项12之有机发光装置，其中主体材料具有玻璃转化温度为低于70℃。如请求项17之有机发光装置，其中掺杂材料具有玻璃转化温度为90℃以上。如请求项18之有机发光装置，其中第二有机层具有玻璃转化温度为80℃以上。如请求项12之有机发光装置，其中第二有机层为激子阻挡层。如请求项12之有机发光装置，其中第二有机层为电子阻挡层。一种有机发光装置，其包含阳极；阴极；配置在阳极与阴极间并与其电连接之第一有机层，其中第一有机层为发射层；及配置在第一有机层与阴极之间或在第一有机层与阳极之间之第二有机层，其中第二有机层包含：形态上不安定之主体材料及增强主体材料之形态安定性之掺杂材料之混合物，其中掺杂材料在浓度为50重量%或以下存在于主体材料中，主体材料为一种阻挡材料，当在35℃下作为最初非晶性沉积此膜100小时后，其变成至少20%结晶，及主体材料与掺杂材料之混合物，当在35℃下作为最初非晶性沉积此膜100小时后，其不会变成超过10%结晶。一种有机发光装置，其包含阳极；阴极；配置在阳极与阴极间并与其电连接之第一有机层，其中第一有机层为发射层；配置在第一有机层与阴极之间或在第一有机层与阳极之间之第二有机层，其中第二有机层为配置在邻近第一有机层之阻挡层，其中第二有机层包含：形态上不安定之主体材料及增强主体材料之形态安定性之掺杂材料之混合物，其中掺杂材料在浓度为50重量%或以下存在于主体材料中。如请求项23之有机发光装置，其中第二有机层为电洞阻挡层。如请求项23之有机发光装置，其中第二有机层为电子阻挡层。如请求项23之有机发光装置，其中第二有机层为激子阻挡层。一种光电子装置中之有机层，其包含形态上不安定之主体材料，该主体材料包含聚合材料；及增强主体材料之形态安定性之掺杂材料，其中掺杂材料在浓度为50重量%或以下存在于主体材料中，且其中有机层在装置中不具有任何发射功能。