资讯记录媒体

摘要

在藉照射光，或藉施加电源而记录及再生资讯之资讯记录媒体中，使产生可逆之相变化之记录层形成含有Ge、Bi、Te及元素M，并含有以(GeTe)x[(M2Te3)y(Bi2Te3)1-y]100-x(mol%)(式中，M系表示选自于Al、Ga及In之至少1个元素，x及y满足80≦x<100、0

主权项

一种资讯记录媒体，系包含可产生可逆之相变化的记录层者，该记录层含有Ge、Bi、Te及元素M，并含有以下述式(1)所表示之Ge-Bi-Te-M系材料，GeaBibTedM100-a-b-d(原子%) (1)(式中，M系表示选自于Ga及In之至少1个元素，a、b及d满足25≦a≦60、0<b≦18、35≦d≦55、82≦a+b+d<100)。如申请专利范围第1项之资讯记录媒体，其中前述记录层更含有Sn，并含有以下式(2)所表示之Ge-Sn-Bi-Te-M系材料，GeaSnfBibTedM100-a-b-d-f(原子%) (2)(式中，M系表示选自于Ga及In之至少1个元素，a、b、d及f满足25≦a≦60、0<b≦18、35≦d≦55、0<f≦15、82≦a+b+d<100、82<a+b+d+f<100)。如申请专利范围第1项之资讯记录媒体，其中前述Ge-Bi-Te-M系材料以下述式(3)所表示，(GeTe)x[(M2Te3)y(Bi2Te3)1-y]100-x(mol%) (3)(式中，M系表示选自于Ga及In之至少1个元素，x及y满足80≦x<100、0<y≦0.9)。如申请专利范围第2项之资讯记录媒体，其中前述Ge-Sn-Bi-Te-M系材料以下述式(4)所示， [(SnTe)z(GeTe)1-z]x[(M2Te3)y(Bi2Te3)1-y]100-x(mol%) (4)(式中，M系表示选自于Ga及In之至少1个元素，x、y及z满足80≦x<100、0<y≦0.9、0<z≦0.3)。如申请专利范围第3项之资讯记录媒体，其中在式(3)中，x及y满足80≦x≦91、y≦0.5。如申请专利范围第3项之资讯记录媒体，其中在式(3)中，x及y满足85≦x≦98、y≦0.8。如申请专利范围第4项之资讯记录媒体，其中在式(4)中，x满足80≦x≦91。如申请专利范围第4项之资讯记录媒体，其中在式(4)中，x满足85≦x≦98。如申请专利范围第1项之资讯记录媒体，该资讯记录媒体包含2个以上之资讯层，该资讯层中至少1个资讯层具有含有前述Ge-Bi-Te-M系材料之记录层。如申请专利范围第2项之资讯记录媒体，该资讯记录媒体包含2个以上之资讯层，该资讯层中至少1个资讯层具有含有前述Ge-Sn-Bi-Te-M系材料之记录层。如申请专利范围第1项之资讯记录媒体，该资讯记录媒体至少包含基板、第1介电体层、含有前述Ge-Bi-Te-M系材料之记录层、第2介电体层、光吸收补正层及反射层，且该等层依此顺序形成于基板之一表面。如申请专利范围第2项之资讯记录媒体，该资讯记录媒体至少包含基板、第1介电体层、含有前述Ge-Sn-Bi-Te-M系材料之记录层、第2介电体层、光吸收补正层及反射层，且该等层依此顺序形成于基板之一表面。如申请专利范围第1项之资讯记录媒体，该资讯记录媒体至少包含基板、反射层、第2介电体层、含有前述Ge-Bi-Te-M系材料之记录层及第1介电体层，且该等层依此顺序形成于基板之一表面。如申请专利范围第2项之资讯记录媒体，该资讯记录媒体至少包含基板、反射层、第2介电体层、含有前述Ge-Sn-Bi-Te-M系材料之记录层及第1介电体层，且该等层依此顺序形成于基板之一表面。如申请专利范围第11项之资讯记录媒体，其中前述第1介电体层之膜厚为100nm以上，180nm以下，且前述第2介电体层之膜厚为20nm以上，60nm以下。如申请专利范围第12项之资讯记录媒体，其中前述第1介电体层之膜厚为100nm以上，180nm以下，且前述第2介电体层之膜厚为20nm以上，60nm以下。如申请专利范围第13项之资讯记录媒体，其中前述第1介电体层之膜厚为10nm以上，100nm以下，且前述第2介电体层之膜厚为3nm以上，50nm以下。如申请专利范围第14项之资讯记录媒体，其中前述第1介电体层之膜厚为10nm以上，100nm以下，且前述第2介电体层之膜厚为3nm以上，50nm以下。如申请专利范围第11项之资讯记录媒体，其中使用波长650至670nm之雷射光，记录及再生资讯。如申请专利范围第12项之资讯记录媒体，其中使用波长650至670nm之雷射光，记录及再生资讯。如申请专利范围第13项之资讯记录媒体，其中使用波长650至670nm之雷射光，记录及再生资讯。如申请专利范围第14项之资讯记录媒体，其中使用波长650至670nm之雷射光，记录及再生资讯。如申请专利范围第11项之资讯记录媒体，其中使用波长395至415nm之雷射光，记录及再生资讯。如申请专利范围第12项之资讯记录媒体，其中使用波长395至415nm之雷射光，记录及再生资讯。如申请专利范围第13项之资讯记录媒体，其中使用波长395至415nm之雷射光，记录及再生资讯。如申请专利范围第14项之资讯记录媒体，其中使用波长395至415nm之雷射光，记录及再生资讯。一种资讯记录媒体之制造方法，其形成记录层之制程系使用含有Ge、Bi、Te及元素M之溅镀靶材，进行溅镀，以形成含有以下述式(1)表示之材料之记录层，GeaBibTedM100-a-b-d(原子%) (1)(式中，M系表示选自于Ga及In之至少1个元素，a、b及d满足25≦a≦60、0<b≦18、35≦d≦55、82≦a+b+d<100)。如申请专利范围第27项之资讯记录媒体之制造方法，其中前述溅镀靶材更含有Sn，执行前述溅镀，以形成以下式(2)表示之材料，GeaSnfBibTedM100-a-b-d-f(原子%) (2)(式中，M系表示选自于Ga及In之至少1个元素，a、b、d及f满足25≦a≦60、0<b≦18、35≦d≦55、0<f≦15、82≦a+b+d<100、82<a+b+d+f<100)。一种资讯记录媒体之记录再生装置，系包含：转轴马达，系使具有记录层之资讯记录媒体旋转者；光学读写头，系具有用以发射雷射光之半导体雷射者；及物镜，系使该雷射光聚光于该记录层上者，而该记录层系含有以下式(1)表示之Ge-Bi-Te-M系材料者，GeaBibTedM100-a-b-d(原子%) (1)(式中，M系表示选自于Ga及In之至少1个元素，a、b及d满足25≦a≦60、0<b≦18、35≦d≦55、82≦a+b+d<100)。如申请专利范围第29项之资讯记录媒体之记录再生装置，其中前述记录层更含有Sn，并含有以下式(2)所表示之Ge-Sn-Bi-Te-M系材料，GeaSnfBibTedM100-a-b-d-f(原子%) (2)(式中，M系表示选自于Ga及In之至少1个元素，a、b、d及f满足25≦a≦60、0<b≦18、35≦d≦55、0<f≦15、82≦a+b+d<100、82<a+b+d+f<100)。如申请专利范围第29项之资讯记录媒体之记录再生装置，其中前述雷射光之波长为650至670nm。如申请专利范围第29项之资讯记录媒体之记录再生装置，其中前述雷射光之波长为395至415nm。