复合层

摘要

一种形成复合层的方法，包括：(a)将一基底载入至一反应室中；(b)于该反应室中执行第一周期步骤，以于该基底上形成一氧化铝(Al2O3)单层；以及(c)室中执行第二周期步骤，以于该基底上形成一氧化铪(HfO2)单层，其中所述步骤包括：(1)将一包含Al元素之第一反应物注入至该反应室内；(2)自该反应室移除该第一反应物；(3)将一包含O元素之第二反应物注入至该反应室内；(4)自该反应室移除该第二反应物；(5)将一包含Hf元素之第三反应物注入至该反应室内；以及(6)自该反应室移除该第三反应物，第一周期步骤系由步骤(1)至(4)所构成，第二周期步骤系由步骤(3)至(6)所构成。

主权项

一种复合层，系藉由原子层沉积法形成在一基底上，包含：多数个氧化铝(Al2O3)单层；以及多数个氧化铪(HfO2)单层，其中该些氧化铝单层与氧化铪单层系交替(alternate)排列。如申请专利范围第1项所述之复合层，其中每一该氧化铝或氧化铪单层的厚度系介于1至10。如申请专利范围第1项所述之复合层，其整体厚度系介于10nm至30nm。如申请专利范围第1项所述之复合层，其系用作具有阻气效果的封装膜。如申请专利范围第1项所述之复合层，其中该基底上方具有一电子元件，且该复合层覆盖该电子元件。如申请专利范围第5项所述之复合层，其中该电子元件包括有机光电元件。如申请专利范围第6项所述之复合层，其中该有机光电元件包括发光二极体显示器、太阳能电池、或薄膜电晶体。