发明名称 暖白光半导体及其具有红色光谱石榴石结构之萤光粉
摘要 本发明提出一种暖白光半导体及其具有红色光谱石榴石结构之萤光粉,其至少具有一半导体异质结与一发光转换层,该半导体异质结与该发光转换层接触,其特征在于:该暖白色发光系由三种光谱带组成,其与该发光转换层之无机萤光粉中之激活剂Ce、Pr及Dy的辐射有关,该萤光粉化学计量公式为(Y2-x-y-z-pGdxCeyPrzDypO3)1.5±α(Al2O3)2.5±β。本发明之发光二极体之色座标为0.405≦x≦0.515,0.355≦y≦0.550,校正色温T≦4000K,显色指数R≧80,主波长λ≧565nm。
申请公布号 TWI373512 申请公布日期 2012.10.01
申请号 TW096147524 申请日期 2007.12.12
申请人 罗维鸿 台北市松山区三民路95巷10号4楼;徐甄培 新北市三重区忠孝路3段50巷41弄5号3楼 发明人 纳姆 索辛;罗维鸿;蔡绮睿
分类号 C09K11/80 主分类号 C09K11/80
代理机构 代理人 刘纪盛 台北市信义区松德路171号2楼
主权项 一种暖白光半导体,其至少具有一半导体异质结与一发光转换层,该半导体异质结与该发光转换层接触,其特征在于:该暖白色发光系由三种光谱带组成,其与该发光转换层之无机萤光粉中之激活剂Ce、Pr及Dy的辐射有关,该萤光粉化学计量公式为(Y2-x-y-z-pGdxCeyPrzDypO3)1.5±α(Al2O3)2.5±β,其中该萤光粉化学计量公式之化学计量指标为0.001≦x≦0.4,0.01≦y≦0.2,0.0001≦z≦0.1,0.0001≦p≦0.1,0.01≦α≦0.1及0.01≦β≦0.1,其中该三种光谱带分为λImax=450±25nm,λⅡmax=560±20nm及λⅢmax=610±3nm。如申请专利范围第1项所述之暖白光半导体,其中该暖白光半导体之色座标为0.405≦x≦0.515,0.355≦y≦0.550,校正色温T≦4000K,显色指数R≧80,主波长λ≧565nm。一种具有红色光谱石榴石结构之萤光粉,系用于暖白光半导体中,其化学计量公式为(Y2-x-y-z-pGdxCeyPrzDypO3)1.5±α(Al2O3)2.5±β,其中该萤光粉化学计量公式之化学计量指标为0.001≦x≦0.4,0.01≦y≦0.2,0.0001≦z≦0.1,0.0001≦p≦0.1,0.01≦α≦0.1及0.01≦β≦0.1,其中该三种光谱带分为λImax=450±25nm,λⅡmax=560±20nm及λⅢmax=610±3nm。
地址 台北市松山区三民路95巷10号4楼;新北市三重区忠孝路3段50巷41弄5号3楼