发明名称 太阳能电池膜层的移除方法与传送设备
摘要 一种太阳能电池膜层的移除方法,适用于一太阳能电池的制程中。其包括下列步骤。首先,提供一基板,其中基板位于一传送装置上。基板上至少依序堆叠有一第一透明导电层、一半导体层以及一电极层。然后,利用传送装置传递基板,其中位于传送装置的两侧至少分别设置有一移除装置,且基板会依序通过这些移除装置。接着,利用这些移除装置同时移除部份第一透明导电层、部份半导体层以及部份电极层,以进行一绝缘制程与一边缘移除制程至少其中之一。
申请公布号 TWI373852 申请公布日期 2012.10.01
申请号 TW098102919 申请日期 2009.01.23
申请人 精曜科技股份有限公司 发明人 赖政志;李春生;杨国玺;周子佑;黄俊明;锺尚骅
分类号 H01L31/18 主分类号 H01L31/18
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种太阳能电池膜层的移除方法,适用于一太阳能电池的制程中,包括:提供一基板,其中该基板位于一传送装置上,且该基板上至少依序堆叠有一第一透明导电层、一半导体层以及一电极层;利用该传送装置传送该基板,其中位于该传送装置的两侧至少分别设置有一移除装置,且该基板会依序通过该些移除装置;以及利用该些移除装置同时移除部份该第一透明导电层、部份该半导体层以及部份该电极层,以进行一绝缘制程与一边缘移除制程至少其中之一。如申请专利范围第1项所述之太阳能电池膜层的移除方法,其中该传送装置为输送带。如申请专利范围第1项所述之太阳能电池膜层的移除方法,其中该些移除装置包括雷射、喷砂或化学蚀刻的装置。如申请专利范围第1项所述之太阳能电池膜层的移除方法,其中该半导体层为一PN接面(PN junction)的半导体堆叠结构。如申请专利范围第1项所述之太阳能电池膜层的移除方法,其中该半导体层至少为一PIN接面(PIN junction)的半导体堆叠结构。如申请专利范围第1项所述之太阳能电池膜层的移除方法,其中该电极层包括一金属层。如申请专利范围第6项所述之太阳能电池膜层的移除方法,其中该电极层更包括一第二透明导电层,其中该第二透明导电层位于该金属层与该半导体层之间。如申请专利范围第1项所述之太阳能电池膜层的移除方法,其中该太阳能电池的制程包括非晶矽太阳能电池制程或薄膜太阳能电池制程。如申请专利范围第1项所述之太阳能电池膜层的移除方法,其中该基板的尺寸为大于或等于1m2。一种传送设备,包括:一输送带;一基板,位于该输送带上,其中该基板具有至少一半导体层或一导电层;以及多个移除装置,分别成对位于该输送带的两侧,其中当该基板通过该些移除装置,该些移除装置适于移除位于该基板上的该半导体层或该导电层。如申请专利范围第10项所述之传送设备,其中该些移除装置包括雷射、喷砂或化学蚀刻的装置。如申请专利范围第10项所述之传送设备,其中该半导体层为一PN接面的半导体堆叠结构。如申请专利范围第10项所述之传送设备,其中该半导体层至少为一PIN接面的半导体堆叠结构。
地址 台北市大安区敦化南路2段76号17楼之2