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一种用于IC、LED及SAW的半导体封装之打线接合的复合金线的制法，包含以下步骤：(a)提供金成份及银成份之主要金属原料与钯成份之次要金属元素，由金成分之重量百分比为8.00~30.00%、银成分之重量百分比为66.00~90.00%，以及钯成份之重量百分比为0.01~6.00%组成，以及将该主要金属原料置于一真空熔炉，并在该真空熔炉中加入钯成份之次要金属元素进行混合熔炼，以制成一金银钯合金融熔液体；(b)将该金银钯合金融熔液体经由连续铸造再引拔拉伸形成一金银钯合金线材；及(c)将该金银钯合金线材拉伸为一预定线径的金银钯合金焊线，完成拉伸之后更对该金银钯合金焊线进行表面清洗及烘乾及热退火处理。如申请专利范围第1项所述之复合金线的制法，其中，步骤a中的金银钯合金融熔液体经由连续铸造再引拔拉伸形成一预定线径为4~8 mm的金银钯合金线材，再透过卷收机卷取该金银钯合金线材，并进行该金银钯合金线材的成份分析。如申请专利范围第2项所述之复合金线的制法，其中，步骤c中，将原本线径为4~8mm之该金银钯合金线材，经过一第一粗伸线机的拉伸缩小其线径至3mm或3mm以下，再经一第二粗伸线机拉伸其线径至1.00mm或1.00mm以下，再经一第一细伸线机拉伸其线径至0.18 mm或0.18 mm以下，然后，再将0.18mm或0.18mm以下的该金银钯合金线材依序经过一第二细伸线机、一极细伸线机，以及一超极细伸线机将该金银钯合金线材拉伸为一预定线径为0.050mm至0.010mm范围的金银钯合金焊线。一种由请求项1之用于IC、LED及SAW的半导体封装之打线接合的复合金线的制法所制成的复合金线，其系由以下成分所组成：重量百分比为8.00~30.00%的金成分；重量百分比为66.00~90.00%的银成分；以及重量百分比为0.01~6.00%的钯成分。 |
