摘要 |
<p>L'invention concerne les capteurs d'image à pixels actifs, et plus particulièrement ceux qui sont destinés à recueillir des images à très haut et très bas niveau de luminance. Chaque pixel comporte au moins une photodiode (PHD), un nœud de stockage de charges (18), une structure d'amplification par multiplication d'électrons (AMP), des moyens de transfert d'électrons (TR1) de la photodiode vers la structure, des moyens de transfert d'électrons (TR2) de la structure d'amplification vers le nœud de stockage après multiplication, un transistor (RS) de réinitialisation du potentiel du nœud de stockage. Les pixels sont lus par un circuit de lecture qui échantillonne le potentiel du nœud de stockage de charges après réinitialisation et après transfert des électrons dans le nœud de stockage et qui fournit une mesure d'éclairement correspondante. Le capteur comporte en outre des moyens pour donner à la structure d'amplification successivement deux facteurs de multiplication d'électrons pour une même prise de vue et effectuer deux mesures d'éclairement correspondantes, et des moyens pour sélectionner pixel par pixel une mesure d'éclairement correspondant au premier facteur ou au deuxième facteur en fonction de l'éclairement du pixel.</p> |