发明名称 |
Integrierte Schaltung mit einer elektrischen Durchkontaktierung sowie Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Durchkontaktierung |
摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine integrierte Schaltung (1), umfassend ein Substrat (10) mit einer ersten Oberfläche (11) und einer gegenüberliegenden zweiten Oberfläche (12), wobei ein funktionalisierter Bereich (13) zumindest an der ersten Oberfläche (11) ausgebildet ist und wobei wenigstens eine elektrische Durchkontaktierung (40) als ein von der ersten Oberfläche (11) zur zweiten Oberfläche (12) durch das Substrat (10) hindurch verlaufendes und mit einem elektrisch leitfähigen Material (44) durchgängig aufgefülltes Durchgangsloch (42) vorgesehen ist. Um die Durchkontaktierung (40) zuverlässig herstellbar und platzsparend vorzusehen, weist das Durchgangsloch (42) wenigstens eine Abstufung (46) auf, an der ein Übergang von einem kleineren Lochquerschnitt (d1) seitens der ersten Oberfläche (11) zu einem größeren Lochquerschnitt (d2) seitens der zweiten Oberfläche (12) erfolgt.</p> |
申请公布号 |
DE102011005978(A1) |
申请公布日期 |
2012.09.27 |
申请号 |
DE20111005978 |
申请日期 |
2011.03.23 |
申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
HEDLER, HARRY;SCHIEBER, MARKUS;WIRTH, STEFAN;ZAPF, JOERG |
分类号 |
H05K1/11 |
主分类号 |
H05K1/11 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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