整流二极管

摘要

本实用新型涉及半导体器件，特别涉及一种整流二极管。本实用新型公开了一种整流二极管。本实用新型的技术方案是，整流二极管，包括管芯和引线，所述管芯由自上而下的N+层、N-层、P-层和P+层构成，所述N+层上表面和P+层下表面有欧姆接触层，所述引线与欧姆接触层连接，所述管芯涂覆有保护层。本实用新型的管芯，在进行P区杂质扩散时采用二次扩散工艺，在N-型单晶硅片上形成四层结构，即N+层、N-层、P-层和P+层，得到四层结构的管芯，提高了P区载流子有效浓度，并且改善了表面欧姆接触层的合金质量，降低了接触电阻，有效载流面积有所提高。本实用新型主要用于制造高耐压整流二极管。

主权项

整流二极管，包括管芯和引线，其特征在于，所述管芯由自上而下的N+层、N‑层、P‑层和P+层构成，所述N+层上表面和P+层下表面有欧姆接触层，所述引线与欧姆接触层连接，所述管芯涂覆有保护层。