背照式CMOS图像传感器的背面处理方法

摘要

本发明公开了一种背照式CMOS图像传感器的背面处理方法，包括，提供一衬底；在衬底的正面上形成图形化的研磨停止层；在衬底和图形化的研磨停止层上形成外延层，并进行化学机械研磨平坦化外延层；在外延层内形成光电二极管；在外延层上形成器件层；对衬底的背面进行背面抛光；对衬底的背面进行化学机械研磨直到暴露出图形化的研磨停止层；刻蚀去除图形化的研磨停止层，暴露出所外延层；进行化学机械研磨平坦化外延层。本发明采用了图形化的研磨停止层，保证了背照式CMOS图形传感器的背面处理后的TTV比较小。

主权项

一种背照式CMOS图像传感器的背面处理方法，包括：提供一衬底；在所述衬底的正面上形成图形化的研磨停止层；在所述衬底和所述图形化的研磨停止层上形成外延层，并进行化学机械研磨平坦化所述外延层；在所述外延层内形成光电二极管；在所述外延层上形成器件层；对所述衬底的背面进行背面抛光；对所述衬底的背面进行化学机械研磨直到暴露出图形化的研磨停止层；刻蚀去除所述图形化的研磨停止层，暴露出所述外延层；进行化学机械研磨平坦化所述外延层。