| 发明名称 | 半导体装置、电子器件以及制造半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体装置，包括：第一半导体部分，其包括第一配线；第二半导体部分，其与第一半导体部分贴附并包括电连接第一配线的第二配线；和金属氧化物，其通过氧与金属材料之间的反应形成，所述金属材料比氢更容易与氧反应，所述金属氧化物扩散入包括在第一配线和第二配线之间的连接界面的区域，并且扩散入至少第一配线和第二配线之一的内部。 | ||
| 申请公布号 | CN102693992A | 申请公布日期 | 2012.09.26 |
| 申请号 | CN201210070103.6 | 申请日期 | 2012.03.16 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 香川惠永;驹井尚纪 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 吴俊 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：第一半导体部分，包括第一配线；第二半导体部分，与第一半导体部分贴附，并包括电连接第一配线的第二配线；和金属氧化物，通过氧与金属材料之间的反应形成，所述金属材料比氢更容易与氧反应，所述金属氧化物扩散入包括在第一配线和第二配线之间的连接界面的区域，并且扩散入至少第一配线和第二配线之一的内部。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||