| 发明名称 | 碳化硅单晶的生长方法 | ||
| 摘要 | 一种碳化硅单晶的生长方法，使碳化硅单晶与在石墨坩埚内被加热的熔化了Si的熔融液接触从而使碳化硅单晶在单晶基板上生长，该生长方法的特征在于，使碳化硅单晶从向所述熔融液内添加了Cr和X(X为Ni和Co之中的至少一种)元素的Si-Cr-X-C熔融液析出和生长，作为总组成中的Cr和X元素的比例为下述范围：Cr为30～70原子％、X为1～25原子％。可实现溶液法的晶体生长层表面的形态的提高。 | ||
| 申请公布号 | CN101796227B | 申请公布日期 | 2012.09.26 |
| 申请号 | CN200880025381.1 | 申请日期 | 2008.11.18 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社 | 发明人 | 寺岛由纪夫;藤原靖幸 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B9/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 段承恩;田欣 |
| 主权项 | 一种碳化硅单晶的生长方法，使碳化硅单晶与在石墨坩埚内被加热的熔化了Si的熔融液接触从而使碳化硅单晶在单晶基板上生长，该生长方法的特征在于，使所述碳化硅单晶从向所述熔融液内添加了Cr和X元素的Si‑Cr‑X‑C熔融液析出和生长，其中X为Ni和Co之中的至少一种，作为总组成中的Cr和X元素的比例为下述范围：Cr为30～70原子％、X为1～25原子％。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||