| 发明名称 | 薄膜晶体管衬底和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种薄膜晶体管衬底和具有这种薄膜晶体管衬底的显示装置，这种薄膜晶体管衬底能够减小电容器中的层间短路缺陷。这种薄膜晶体管衬底包括：衬底；薄膜晶体管，在衬底上依次具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层和源-漏电极；以及电容器，在衬底上依次具有底电极、电容器绝缘膜和由氧化物半导体形成的顶电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101740564B | 申请公布日期 | 2012.09.26 |
| 申请号 | CN200910208848.2 | 申请日期 | 2009.11.05 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 荒井俊明 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;G09F9/33(2006.01)I;G09G3/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 宋海宁 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管衬底，包括：衬底；薄膜晶体管，在所述衬底上依次具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层和源‑漏电极；电容器，在所述衬底上依次具有底电极、电容器绝缘膜和由氧化物半导体形成的顶电极；以及覆盖所述薄膜晶体管和电容器的钝化膜，其中电容器中的所述顶电极是在与薄膜晶体管中的所述氧化物半导体层的同一层中形成的。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||