| 发明名称 | 功率用半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种功率用半导体装置，具备：第1导电类型的第1半导体层(1)、第1导电类型的第2半导体层(2)、第2导电类型的第3半导体层(3)、第2导电类型的第4半导体层(4)、第1主电极(5)及第2主电极(6)。第2半导体层(2)设置在第1半导体层(1)上，第3半导体层(3)选择性地设置于第2半导体层(2)的表面。第4半导体层(4)选择性地设置于第3半导体层(3)的表面，具有比第3半导体层(3)的第2导电类型杂质的浓度高的第2导电类型杂质的浓度。第3半导体层(3)具有载流子寿命降低区域，该载流子寿命降低区域与第4半导体层(4)的底面邻接并与第2半导体层(2)有间隔，被处理为使载流子寿命变短。 | ||
| 申请公布号 | CN102694032A | 申请公布日期 | 2012.09.26 |
| 申请号 | CN201210060051.4 | 申请日期 | 2012.03.09 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 小林政和 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 许海兰 |
| 主权项 | 一种功率用半导体装置，其特征在于，具备：第1导电类型的第1半导体层；第1导电类型的第2半导体层，设置在所述第1半导体层上，并具有比所述第1半导体层的第1导电类型杂质的浓度低的第1导电类型杂质的浓度；第2导电类型的第3半导体层，设置于所述第2半导体层的与所述第1半导体层相反侧的表面；第2导电类型的第4半导体层，选择性地设置于所述第3半导体层的与所述第1半导体层相反侧的表面，并具有比所述第3半导体层的第2导电类型杂质的浓度高的第2导电类型杂质的浓度；第1主电极，电连接到所述第1半导体层；以及第2主电极，电连接到所述第4半导体层，其中，所述第3半导体层具有载流子寿命降低区域，该载流子寿命降低区域与所述第4半导体层的所述第1半导体层侧的底面邻接，并与所述第2半导体层有间隔，被处理为使载流子寿命变短。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||