硅片上的三维薄膜的成型方法

摘要

本发明提供了一种硅片上的三维薄膜的成型方法，该方法包括：在所述硅片上刻蚀出一个第一凹陷；在所述第一凹陷处形成三维薄膜；在所述三维薄膜相对于所述第一凹陷的另外一侧，对硅片进行刻蚀得到第二凹陷，直到露出所述三维薄膜；关键在于，在形成所述第一凹陷后，以及形成所述三维薄膜之前，还包括，对所述第一凹陷内的硅片表面进行氧化处理，得到一层氧化硅；将得到的氧化硅腐蚀去除。本发明的三维薄膜的成型方法，可以成型出表面圆滑的三维薄膜，该三维薄膜没有明显的裂缝和棱角，结构强度好，适合于在后续工艺步骤中继续加工。

主权项

一种硅片上的三维薄膜的成型方法，该方法包括：在所述硅片上刻蚀出一个第一凹陷；在所述第一凹陷处形成三维薄膜；在所述三维薄膜相对于所述第一凹陷的另外一侧，对硅片进行刻蚀得到第二凹陷，直到露出所述三维薄膜；其特征在于，在形成所述第一凹陷后，以及形成所述三维薄膜之前，还包括，对所述第一凹陷内的硅片表面进行氧化处理，得到一层氧化硅；将得到的氧化硅腐蚀去除。