制作IGBT器件的方法及其装置

摘要

本发明涉及电子器件领域，公开了一种制作IGBT器件的方法及其装置。本发明中，背面的FS区和集电极不是在完成IGBT的MOSFET制作和背面研磨后进行，而是穿插在MOSFET制作工序的前后和中间。通过先形成较厚的FS，在形成所需厚度的FS后再做正面MOSFET等器件，不影响之后制作的硅片正面MOSFET等器件特性。而硅片正面器件制作的高温过程对20～30μm厚的FS影响很小。背面集电极P型杂质是在正面MOSFET的侧壁氧化层淀积后离子注入的，激活则是靠制作正面MOSFET的热过程激活，激活率高，也可消除离子注入产生的损伤。从而可以制作出具有高击穿电压、低漏电、导通压降正温度系数、低开关损耗的IGBT。

主权项

一种制作IGBT器件的方法，其特征在于，包含以下步骤：在硅片正面制作金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管MOSFET之前，先在硅片背面制作场终止FS区；在所述硅片背面形成所述FS区后，在所述硅片正面开始进行所述MOSFET的制作；在完成所述MOSFET的侧壁氧化层淀积后，暂停所述MOSFET的后续制作，除去硅片背面的残留层，在所述硅片背面离子注入集电极所需P型杂质；在完成所述P型杂质的注入后，进行所述MOSFET的后续制作，在所述MOSFET的后续制作中，同时完成所述P型杂质的激活。