低压参考电路

摘要

本发明涉及一种低压参考电路，其可具有一对半导体器件。每个半导体器件可具有n-型半导体区域、n-型半导体区域中的n+区域、金属栅极、和位于所述金属栅极和n-型半导体区域之间的栅极绝缘体，载流子在所述金属栅极和n-型半导体区域之间隧穿。金属栅极可具有的功函数与p-多晶硅的功函数匹配。栅极绝缘体具有的厚度可小于约25埃。金属栅极可形成半导体器件的第一端子，而n+区域和n-型半导体区域可形成半导体器件的第二端子。第二端子可耦合到地。偏压电路可使用第一端子供应不同电流到半导体器件，并可提供数值小于一伏特的相应参考输出电压。

主权项

一种参考电路，包括：第一和第二二极管，每个二极管都具有栅极、掺杂的半导体区域、和位于与其关联的二极管的栅极和掺杂的半导体区域之间的栅极绝缘体层，其中所述栅极绝缘体可操作以允许载流子在与其关联的二极管的掺杂的半导体区域和栅极之间隧穿；以及偏压电路，其耦合到所述第一和第二二极管，并具有可操作以供应参考电压的输出端。