| 发明名称 | 承载晶圆的制作方法和承载晶圆 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种承载晶圆的制作方法，包括：在晶圆表面沉积氮化硅；通过光刻工艺在沉积有氮化硅的晶圆上定义出待刻蚀区域，所述待刻蚀区域为除边缘区域以外的区域；刻蚀掉所述待刻蚀区域上的氮化硅；去除晶圆上剩余的光刻胶，并刻蚀掉所述待刻蚀区域上的指定厚度的硅衬底；去除晶圆上剩余的氮化硅。本发明同时公开了一种承载晶圆。应用本发明所述的承载晶圆，能够对生产晶圆起到很好的保护作用。 | ||
| 申请公布号 | CN102040185B | 申请公布日期 | 2012.09.26 |
| 申请号 | CN200910197669.3 | 申请日期 | 2009.10.23 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 金明伦;吴秉寰;刘煊杰;傅焕松;陈宇涵 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 谢安昆;宋志强 |
| 主权项 | 一种承载晶圆的制作方法，该方法包括：在晶圆表面沉积氮化硅；通过光刻工艺在沉积有氮化硅的晶圆上定义出待刻蚀区域，所述待刻蚀区域为除边缘区域以外的区域；刻蚀掉所述待刻蚀区域上的氮化硅；去除晶圆上剩余的光刻胶，并刻蚀掉所述待刻蚀区域上的指定厚度的硅衬底；去除晶圆上剩余的氮化硅。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||